Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 126 127 128 129 130 131 132... 423 424 425
|
|
|
|
и используемых обычно методов отжига приведено на рис, 4.29 и 4.30. Поверхность Si (100). После облучении одним лазерным импульсом с плотностью энергии ^2 Дж/см^ наблюдалась четкая картина ДМЭ (2X1) е умеренной интенсивностью фона [18]. С последующими лазерными импульсами качество дифрактограммы улучшилось. Представленная на рис. 4.29, а дифрактограмма наблюдалась после пяти импульсов. Четкие дифрактограммы свидетельствуют о том, что кристаллический порядок после окончания жидкофазной эпитаксиальной перекристаллизации не нарушается до самых внешних монослоев. После дополнительных лазерных импульсов картина ДМЭ не меняется. Подобная же картина (2X1) наблюдается для поверхностей кремния (100) при использовании обычного катодного распыления с последующим термическим отжигом (рис. 4.29, б). Рас Рис. 4.29. Дифрактограммы, полученные методом ДМЭ с чистых (100) (а, б) и имплантированных (U0) (е, г) иоверхиостей кремния при начальных энергиях лучка 49 эВ (а, б) и 92 эВ (в, г) [63]: 1, е — отжиг лазером; б, г — термический отжиг т
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 126 127 128 129 130 131 132... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
