Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 127 128 129 130 131 132 133... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 4.30. Дифрактограммы, полученные методом ДМЭ с чистых (111) поверхностей кремния при начальных энергиях пучка 40 эВ (а) и 68 эВ (б) [19], й — лазерный отжиг, б — термический отжиг смотрение этой дифрактограммы показывает, что поверхность реконструируется (атомы в наружных монослоях расположены на расстояниях друг от друга, не совпадающих с расстояниями в объеме материала). Результаты указывают на то, что атомы в наружных слоях имеют при лазерном отжиге достаточно времени, чтобы перестроиться во вновь упорядоченную упаковку, с которой были получены (2X1) дифрактограммы. Это совпадает с предлагаемыми моделями структуры поверхности, в которых предполагаются только малые смещения атомов в заполненных наружных монослоях [64]. Поверхность Si (110). Дифракционная картина (1X2), полученная с поверхности (110) Si после пяти импульсов лазерного облучения с плотностью энергии ^2 Дж/см^, приведена на рис. 4.29, в [63] Подобная же картина с поверхности (110), подвергнутой термическому отжигу, приведена на рис. 4.29, г для сравнения. Хотя точное описание атомных упаковок в поверхностной зоне структуры (1X2) и не существует, но подобие дифрактограмм, полученных методом ДМЭ, показывает, что как и для поверхности (100) наблюдается та же переупорядоченная упаковка и после лазерного и после термического отжига. Поверхность Si (111). Четкая, хорошо выраженная картина (1X1) ДМЭ показана на рис. 4.30, а. Она была получена с поверхности (111) кремния, подвергнутой облучению пятью импульсами лазера с плотностью энергии ^2 Дж/см^ [19, 63]. В отличие от диф-Рактограмм поверхностей (100) и (110) эта картина дает основания предположить, что в результате лазерного отжига образовалась ^оычная поверхностная (усеченная объемная) структура и нет ни-ЛМ^^ признаков какой-либо побочной перестройки. Картина (7X7) ^МЭ (см. рис. 4.30, б) всегда наблюдается на чистой термически тожженной поверхности кристалла кремния и свидетельствует о ^^^2^1129
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 127 128 129 130 131 132 133... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
