Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 128 129 130 131 132 133 134... 423 424 425
|
|
|
|
перестройке структуры. Дополнительными исследованиями обнаружено, что картина (1X1) ДМЭ может наблюдаться для поверхности (111) в том случае, когда кристалл выдерживается при температуре 100 .„700 К в процессе лазерного отжига. Появление дифракционных пятен седьмого порядка, свидетельствующих о перестройке поверхности, наблюдается или после отжига облученной лазером поверхности при температурах, более 800 К, или при выдержке при этой температуре в процессе самого отжига. Нагревом в течение длительного времени (30 мин) при температурах свыше '^SOO К можно преобразовать отожженную лазером поверхность так, что будет наблюдаться отчетливая картина (7X7) ДМЭ. Отчетливость говорит о том, что структура, которой соответствует дифрактограмма (1X1) является метастабильной и, комбинируя лазерный отжиг с обычным термическим, можно циклически изменять структуры между двумя описанными ее видами. Со времени первых исследований перестройки структуры поверхности (111) кремния после распыления в сочетании с отжигом было приложено много усилий для определения геометрических моделей, пригодных для описания такой атомной структуры и сбора экспериментальных данных для подтверждения данных моделей. Структурные модели для такой реконструкции поверхности можно разделить на два типа — гладкие и грубые [64]. Гладкие модели характеризуются заполненным наружным слоем с малыми смещениями атомов из положений, свойственных объемной структуре. Грубые модели относятся к наружным монослоям или двойным слоям, V содержащим большое число вакансий. Наблюдения картин (1X0 ДМЭ позволяют предположить, что прн сочетании температурно-временных условий, существующих в процессе лазерного отжига, атомы внешнего слоя или слоев не способны расположиться после перекристаллизации зоны проплавлення в упорядоченные геометрические упаковки, характерны для реконструкции поверхности. 4.3.3. Структурная модель отожженного лазером Si (ПІ)-(ЇХІ) Тот наблюдаемый факт, что отожженная лазером поверхность (111) кремния в СВВ характеризуется дифрактограммой (1X1) ДМЭ наряду с тем, что данная поверхность после лазерной обработки атомарно чиста, дает основание полагать, что на таких поверхностях можно исследовать свойства полупроводников, у которых отсутствует упорядоченная побочная реконструкция поверхности. В частности, можно получить информацию о поверхностной релаксации. Одним из путей исследования данного вопроса может служить измерение интенсивностей дифрагированных электронных пучков в зависимости от энергии падающих электронов (профили I—V). Экспериментально определенные профили должны быть сравнены с данными, полученными из расчетов полностью преобразованной динамической ДМЭ, выполненных для различных структурных моделей геометрической упаковки наружных моносло 130
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 128 129 130 131 132 133 134... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |