Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 125 126 127 128 129 130 131... 423 424 425
|
|
|
|
плавленной зоны глубиной в несколько сотен нанометров, примеси могут интенсивно перераспределяться по механизму жидкофазной диффузии в расплаве. Полное и равномерное распределение па слою с толндиной, равной глубине проникновения фронта проплавлення, приведет к снижению концентрации на поверхности до 0,3% монослоя кислорода и 0,1 7о монослоя углерода. Обе последних величины находятся на пределе разрешения Оже-спектроскопии и эти величины совпадают с описанными выше данными измерений. Концентрация кислорода на поверхности и в приповерхностном слое до и после импульсного лазерного отжига недавно была исследована методами резерфордовского обратного рассеяния и ядерного резонанса по реакции ^Ю(а, а)^^0 в комплексе с Оже-электронной спектроскопией [62]. После облучения поверхности (100) кремния, покрытой естественным адбсорбированным кислородом, восемью импульсами с плотностью энергии ^1,55 Дж/см^ в СВВ концентрация кислорода на поверхности по данным Оже-спектроскопии, составила ^0,3% монослоя. Концентрация атомов кислорода на средней глубине 1100 А для интервала глубин 500... 1700 А составляла, по данным анализа ядерной реакции, ^3,Ы0^® см~^. Из этих данных был сделан вывод о том, что при импульсном лазерном облучении менее 1 % кислорода диффундировало в объем и концентрация в объеме была существенно ниже, чем предельная растворимость кислорода в кремнии. Отсутствие заметной диффузии кислорода в кремний было объяснено, исходя из того факта, что скорость растворения окисла в кремнии составляет, по данным Сари, полученным в 1981 г., около 10-^ см/мин. Поскольку толщина естественного окисного слоя на кремнии при облучении в СВВ составляет около 20 А, то потребуется ^ 1 с, чтобы внедрить этот слой в зону проплавлення. Это время примерно на шесть порядков выше, чем время сутестзова-ния расплава при температуре свыше 600 К. Чтобы свести к минимуму возможность перераспределения таких загрязнений, как кислород и углерод, наиболее эффективно вначале произвести катодное распыление поверхности при умеренных режимах в целях существенного удаления количества загрязнений, а затем лазерным отжигом получить атомарно-чистую поверхностную зону, 4,3.2. Изучение поверхностей (100), (110) и (1П) кремния после лазерного отжига В п. 4.3.1 показано, что импульсным лазерным отжигом можно получать атомарно-чистые поверхности в СВВ. Ниже будут обсуждены возможности лазерного отжига с точки зрения упорядочения поверхностной зоны монокристалла. Поскольку образцы, использо-зованные в этих исследованиях, не подвергались специальной очистке, кроме промывки спиртом перед помещением в вакуумную систему, все примеси удалялись при лазерной обработке. Сравнение Картин дифракции медленных электронов после лазерного отжига 127
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 125 126 127 128 129 130 131... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
