Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 123 124 125 126 127 128 129... 423 424 425
|
|
|
|
скольку свободная длина пробега электронов энергией 20... 100 эВ очень мала, анализировался самый тонкий наружный слой толщиной ^20 А. Кроме того, использовали различные поверхностно-чувствительные методы спектроскопии в качестве методов исследования свойств поверхности, в частности, метод Оже-электронной спектроскопии (ОЭС), который обладает способностью к разрешению элементов с атомным номером 2^3, использовался для контроля содержания примесей и имплантированных атомов в поверхностном слое образца. Дифракция медленных электронов (ДМЭ) применялась для изучения геометрического порядка в структуре поверхностного слоя, равно как и для оценки внутрии межатомных расстояний. Фотоэлектронная спектроскопия (ФЭС) применялась для получения информации об электронных свойствах на валентном и ядерном уровнях у поверхностных слоев. dNidE 4.3.1. Очистка поверхности кремния Получение атомарно чистых поверхностей в СВВ имеет принципиальное значение в фундаментальных исследованиях физических и химических свойств поверхностей. Оно также очень важно в приборостроении, поскольку загрязнения, внесенные в процессе изготовления или применения, могут серьезно ухудшить характеристики прибора. Недавними работами показано, что самым эффективным и быстрым путем получения атомарно чистой поверхности кремния является импульсное лазерное облучение в СВВ. Применение лазерного облучения для очистки поверхности кремния описано в работе [22], результаты которой представлены на рис. 4.28. Кривой 1 показан Оже-спектр, снятый с образца кремния, выдержанного на воздухе, после его помещения в вакуумную систему и откачки газа. На поверхности этого образца четко обнаруживается присутствие кислорода и углерода, а спектр в области SiL2, з VV-пере-хода (энергия 70—100 эВ) харак Рис. 4.28. Оже-электронный спектр неочищенной поверхности кремния до (I) ^1 после лазерного отжига [2] с плотностью энергии —2,0 Дл/см2 [22]. Энергия первичного пучка составляла 2 кэВ. а плотность тока 5 мкАО 100 200 300 i^DQ 500 Е эВ 125
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 123 124 125 126 127 128 129... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
