ный (в том числе быстрый) их
отжиг в атмосфере аммиака или азота, в процессе которого на поверхности
пластины формируется тонкий слой нитрида кремния. Для повышения
эффективности действия поверхности пластины в качестве стока для
избыточных атомов Si; используют специальную предварительную
механическую обработку.
При наличии в исходных пластинах
кремния микродефектов в виде вакансионных или вакансионно-кислородных
скоплений обычно проводят традиционный высокотемпературный окислительный
отжиг в сухом или влажном кислороде. В процессе такого отжига (особенно на
его ранних стадиях) происходит интенсивная инжекция в
приповерхностную область пластины межузельных атомов кремния, что
способствует аннигиляции ростовых микродефектов, а атомы избыточного
кислорода уходят из объема на поверхность пластин. Хорошие результаты
дает высокотемпературная термообработка вакансионных кристаллов в
атмосфере водорода, аргона или в смеси этих газов.
Недостатками традиционных
достаточно длительных высокотемпературных термообработок являются:
дополнительное увеличение стоимости пластин; ухудшение качества их
поверхности; возможность их искривления и загрязнения металлическими
примесями; возможность генерации в них дислокаций. С этой точки зрения
неоспоримыми преимуществами обладает быстрый термический отжиг, который,
обеспечивая, как минимум, не худшие результаты, лишен большинства из
перечисленных недостатков.
Выше речь шла в основном о
закономерностях образования микродефектов в элементарных
полупроводниках. Исследования в этом направлении для
полупроводниковых соединений находятся практически на начальном этапе.
Сложившаяся здесь к настоящему времени ситуация подробно
проанализирована в [8]. Необходимо отметить, что для алмазоподобных
полупроводниковых соединений типа АШВУ и
А1^^ рассмотренная общая картина микродефектообразования с
участием СТД вряд ли претерпевает принципиальные изменения. Однако надо
иметь в виду, что в таких материалах, из-за наличия двух кристаллических
под-решеток, существенно расширяется «номенклатура» присутствующих в
кристаллах СТД, что, несомненно, усложняет процессы взаимодействия
индивидуальных дефектов. В частности, в этих материалах возможны процессы
рекомбинации с участием СТД из разных подрешеток с образованием
«антиструктурных» дефектов. Кроме того, абсолютные равновесные
концентрации СТД при предплавильных температурах в таких соединениях
существенно выше, чем в элементарных полупроводниках
