Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
леблются в пределах
102...105 см-2. Дислокации являются
эффективными внутренними стоками для присутствующих в объеме
кристалла неравновесных СТД. Сток СТД на дислокации сопровождается
образованием вокруг них симметричных по отношению к линии дислокации
областей с резко пониженной (в сравнении с основной матрицей
кристалла) концентрацией дефектов. В этих областях практически
полностью снимается пересыщение по СТД, что исключает образование в
них микродефектов, обусловленных распадом соответствующих
пересыщенных твердых растворов (в монокристаллах полупроводниковых
соединений в определенных случаях возможно образование в
непосредственной близости от дислокации или на самой дислокации выделений
одного из компонентов соединения). Кроме того, так как СТД принимают
активное участие в образовании электрически- и
рекомбинационноактив-ных центров во всех важнейших полупроводниках, то
процесс их стока на дислокации сопровождается появлением в объеме
кристалла, вблизи дислокаций, характерных микронеоднородностей в
распределении электрических свойств. Все эти явления достаточно
подробно исследованы на примере монокристаллов GaAs в [9]. Здесь же мы
кратко остановимся лишь на некоторых характерных особенностях
происходящих процессов.
Наиболее эффективными стоками
(чаще всего рекомбинационными) для избыточных СТД являются дислокации,
образующиеся при близких к температуре кристаллизации температурах (так
называемые «высокотемпературные» дислокации). Это вполне объяснимо,
так как именно при высоких температурах СТД обладают максимальной
подвижностью. Размеры областей с измененными свойствами, формирующихся
вокруг дислокаций в процессе стока, определяются природой присутствующих в
кристалле СТД и существенным образом зависят от величины плотности
дислокаций N и от тепловых условий выращивания, прежде всего от
скорости посткристаллизационного охлаждения слитка. В кристаллах GaAs,
например, размеры этих областей обычно изменяются в пределах от нескольких
десятков до сотен микрометров. Размеры областей, формирующихся вокруг
скоплений дислокаций (стенки дислокационных ячеек, малоугловые границы и
т. д.), существенно выше, чем вокруг отдельных
дислокаций.
При прочих равных условиях, в
кристаллах с дислокациями концентрация избыточных СТД в матрице
кристалла существенным образом зависит от величины NR.
При определенных плотностях достаточно равномерно распределенных
в объеме выращиваемого монокристалла дис- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
