Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 51 52 53 54 55 56 57... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
ные преципитаты. Так как в
реальном монокристалле вакансии распределены достаточно неоднородно,
то возможно одновременное присутствие в различных его областях как
пор, так и оксидных частиц. Образующиеся в областях кристалла с
максимальной концентрацией вакансий поры могут иметь эффективный
радиус десятки нанометров, а их объемная плотность составляет ~3 *
106 см-3. Плотность образующихся в областях с малой
концентрацией вакансий оксидных частиц достигает
~Ю8см~3, а их радиус изменяется в пределах от
нескольких до десятков нанометров (в зависимости от конкретной
концентрации вакансий).
Как и в случае микродефектов
межузельного типа, образование пор происходит в достаточно узком интервале
температур вблизи 1100 °С и сопровождается резким снижением концентрации
вакансий в соответствующих частях кристалла. Остаточные вакансии
(наличие которых обусловлено их связыванием в комплексы 02V,
при дальнейшем охлаждении слитка в интервале температур -1020 °С)
принимают активное участие в образовании в этих областях кислородных
кластеров, по мере дальнейшего охлаждения кристалла. Сравнительно крупные
кислородные кластеры образуются в температурном интервале 650...700 °С, их
плотность составляет 109...1010 см"3
и они являются основными центрами зарождения в кристалле преципитатов при
последующих термообработках. При достижении выращиваемым кристаллом
температур 400...500°С в его объеме формируются очень мелкие, содержащие
всего несколько атомов кислорода кластеры, хорошо известные в литературе
как термодоноры. Концентрация термодоноров в выращиваемых кристаллах
достигает 1015см~3 и они легко отжигаются в
процессе последующей термообработки кристаллов при температурах выше
~ 650 °С.
Очевидно, что общая стратегия
повышения структурного совершенства бездислокационных монокристаллов
должна исходить из необходимости резкого снижения размеров и объемной
плотности микродефектов различной природы. Это требует обеспечения
оптимальных, близких к величине ^, отношений V/G и
достаточно однородного распределения этого параметра по всей площади
фронта кристаллизации на протяжении всего ростового процесса, а также
оптимальных скоростей охлаждения выращиваемых кристаллов в тех интервалах
температур, в которых происходит формирование тех или иных
нежелательных «ростовых» микродефектов. Все это представляет собой
достаточно сложную научно-техническую задачу. Некоторым подспорьем в
решении проблемы может явиться дополнительное легирование монокристаллов
примесями, которые либо за счет сдвига электронно-дырочного
равно- |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 51 52 53 54 55 56 57... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
