Таким образом, дефектообразование
при распаде пересыщенных твердых растворов избыточных компонентов
носит достаточно сложный характер и может сопровождаться появлением в
кристаллической решетке соединения микродефектов различной природы. В
связи с тем, что существенные пересыщения в твердых растворах
избыточных компонентов достигаются при относительно невысоких температурах
(в сравнении с пересыщением по «равновесным» собственным дефектам),
образующиеся при их частичном распаде в процессе
посткристаллизационного охлаждения монокристалла микродефекты должны
иметь существенно меньшие размеры. Тепловые условия выращивания (в первую
очередь темп охлаждения выращиваемого кристалла) должны оказывать
существенное влияние на характер микродефектообразования. Последующие
термообработки таких кристаллов могут приводить к укрупнению
микродефектов и изменению их объемной концентрации.
Как и в случае пересыщения по
равновесным («тепловым») СТД, введение в кристаллы легирующих примесей
может оказать существенное влияние на особенности
микродефектообразования. В данном случае происходящие изменения
обусловлены влиянием легирования на растворимость избыточных компонентов в
соответствующих соединениях (на тип образуемых твердых растворов,
протяженность и конфигурацию области гомогенности).
Как и для кремния, эффективным
способом повышения структурного совершенства монокристаллов
соединений, содержащих ростовые микродефекты, является термообработка
вырезаемых из таких слитков пластин. В данном случае для контролируемой
инжекции в объеме пластины тех или иных вакансий или межузельных
атомов может быть использован высокотемпературный отжиг в вакууме,
атмосфере водорода или очищенных газов, а также в атмосфере паров летучего
компонента соответствующего соединения.
Дефектообразование в малодислокационных
монокристалах
Из всего многообразия нашедших
достаточно широкое практическое применение полупроводниковых материалов
задача получения бездислокационных монокристаллов больших диаметров
решается относительно просто лишь для кремния. Связано это, в первую
очередь, с тем, что критические напряжения образования дислокаций в
монокристаллах кремния существенно выше, чем в других полупроводниках. Для
полупроводников с более низкими значениями критических напряжений
величины плотности дислокаций в выращиваемых монокристаллах
ко-
