рости охлаждения) ~3 •
Ю4 смГ3. Размеры А-микродефектов могут
достигать нескольких микрометров. Объемная плотность распределения
образующихся ^-дефектов обычно существенно выше и они имеют меньшие
размеры.
Образование микродефектов
межузельного типа происходит в узком интервале температур (температура
«конденсации» Si;- близка кГт - 300 К) и приводит к
существенному снижению концентрации Si(- в кристаллической
решетке и соответствующему падению растворимости кислорода. В результате
раствор кислорода, если концентрация последнего достаточно велика,
может стать пересыщенным, и в кристалле по мере его дальнейшего охлаждения
начинается формирование нового поколения микродефектов - оксидных
микровыделений. При этом образовавшиеся в области высоких температур
А- и 5-микродефекты играют роль стоков для атомов Si-,
инжектируемых в матрицу кристалла образующимися кислородсодержащими
преципитатами.
Существенно иная ситуация имеет
место при выращивании монокристаллов «вакансионного» типа. В данном
случае поглощение оксидными преципитатами вакансий из пересыщенного
вакансионного твердого раствора может сделать процесс образования
этих частиц термодинамически выгодным, даже если твердый раствор
кислорода слегка недосыщен. При этом в кристалле будет происходить
совместная вакан-сионно-кислородная агрегация, обусловленная, главным
образом, вакан-сионным пересыщением, с образованием частиц SiO^.. Сценарий
мик-родефектообразования в кристаллах «вакансионного» типа определяется
концентрацией и характером распределения вакансий в выращиваемом слитке
[7].
Если концентрация вакансий в
кристалле достаточно велика, то образующимися при охлаждении
первичными ростовыми микродефектами должны быть вакансионные агрегаты.
Среди возможных типов ваканси-онных агрегатов в кремнии (поры,
дислокационные петли и другие петлеобразные структуры) наименьшей
энергией обладают поры, которые в данном случае и должны являться основным
видом дефектов.
По мере снижения в кристалле
концентрации вакансий возрастает вероятность совместной
вакансионно-кислородной агрегации. Это связано с тем, что движущей
силой образования пор является пересыщение по вакансиям, а движущая
сила образования кислородсодержащих частиц включает в себя как пересыщение
по вакансиям, так и пересыщение по кислороду. Поэтому при достаточно
низкой концентрации вакансий образующиеся дефекты представляют собой в
основном оксид-
