Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 47 48 49 50 51 52 53... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
центраций
CiCv имеет быстро убывающее
равновесное значение, так что одна из двух неравновесных концентраций С,
или Cv столь же быстро убывает, а вторая —
стремится к некоторому конечному предельному значению. Доминирующий
тип точечных дефектов образует при этом пересыщенный раствор, в
результате распада которого формируются ростовые
микродефекты.
Очень важно оценить, какой же из
двух типов СТД (межузельные атомы или вакансии) является доминирующим в
тех или иных условиях выращивания. Согласно [5], для каждого из двух типов
СТД выражение для потока дефектов от фронта кристаллизации в кристалл (в
системе координат, связанной с фронтом) складывается из члена,
обусловленного переносом дефектов движущимся кристаллом (со скоростью
V)
и из диффузионного члена — ибо вблизи фронта (вследствие
аннигиляции) возникают большие градиенты концентрации СТД. Диффузионный
член равен по порядку величины DC/1
(здесь опущен индекс у концентрации дефектов С и у их коэффициента
диффузии D). При
этом характерная длина аннигиляции I ~ 1/G, т.
е. диффузионный поток пропорционален градиенту температуры
G
Результат рекомбинационного
отбора (вид и концентрация доминирующих дефектов) зависит от
соотношения переносных потоков СТД (~V) и
диффузионных потоков СТД (~G). При
достаточно больших значениях V/G
вкладом диффузии можно пренебречь. В этом простейшем случае после
аннигиляции выживают те СТД, исходная концентрация которых в кристалле
была выше. Иная ситуация складывается при малых V/G,
когда преобладающую роль играют диффузионные потоки. При
охлаждении кристалла дефекты исчезают парами, однако для более
быстродиффундирующего типа дефектов эти потери восполняются скорее
благодаря диффузионному подводу от фронта кристаллизации. В результате
выживает тот тип СТД, у которого исходное произведение DC
больше, независимо от того, больше или меньше сама его исходная
концентрация С. Наиболее интересная ситуация складывается в
том случае, когда СТД с меньшей исходной концентрацией С
имеют более высокое значение произведения DC
благодаря большей диффузионной подвижности. Тогда этот тип
дефектов оказывается доминирующим (после аннигиляции) при малых V/G, но
уступает эту роль своему конкуренту при больших V/G. При
некотором промежуточном, пороговом значении V/G
происходит практически полная взаимная аннигиляция обоих типов
СТД. В этом случае должен расти бездефектный кристалл, условием чего
является V/G ~
^г |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 47 48 49 50 51 52 53... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
