Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 48 49 50 51 52 53 54... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
Многочисленные экспериментальные
данные по выращиванию бездислокационных монокристаллов кремния
свидетельствуют о том, что при малых V/G в
слитках наблюдаются микродефекты межузельного типа (микродефекты А-
и 5-типа), при промежуточных V/G - только
микродефекты 5-типа, а при больших V/G -
микродефекты £-типа, представляющие собой вакансионные агрегаты.
Отсюда следует, что роль СТД с меньшей исходной концентрацией и большей
диффузионной подвижностью в данном случае играют межузельные атомы, а
преобладающим типом СТД при температуре кристаллизации являются
вакансии. Таким образом, микродефекты Л- и
5-типа (образующиеся при V/G<Z,t)
—
результат агрегации атомов Si/5 а D-дефекты
(образующиеся при V/G >
- результат агрегации вакансий Siv. По оценкам, сделанным
в [5], %t = 0,2 мм2/(мин • К). Более поздние оценки
дают несколько меньшее значение \t ~ 0,14
мм2/(мин • К).
Итак, в условиях, когда
существенную роль играет процесс рекомбинации присутствующих СТД,
ключевым параметром, определяющим тип «выживающих» СТД, а также природу,
размеры и содержание ростовых микродефектов в выращиваемом кристалле,
является величина отношения скорости выращивания V к
величине осевого температурного градиента в слитке у фронта
кристаллизации, G - % = V/G. При
некотором критическом значении параметра \t и ограниченном
содержании в кри-статлах кислорода, ростовые микродефекты не должны
образовываться. При £, < \t в кристаллах после рекомбинации
остаются межузельные атомы и формируются микродефекты межузельного
типа, представляющие собой скопления атомов и дислокационные петли
внедрения. Такие кристаллы обычно называют кристаллами «межузельного
типа». При \ > \t в монокристаллах выживают вакансии, а
характерными дефектами являются вакансионные поры и
кислородвакансионные скопления. Такие кристаллы относят к кристаллам
«вакансионного типа».
Концентрация в кристалле
«выживающих» в результате рекомбинации СТД зависит от величины % и от
отношения CJCi
при температуре плавления. Как мы уже отмечали, характерная длина
аннигиляции СТД в монокристаллах кремния составляет несколько миллиметров,
что существенно меньше радиуса выращиваемых в настоящее время
слитков. Таким образом, радиальный профиль распределения выживающих СТД
(определяемый радиальным изменением \, а фактически радиальным изменением
G)
формируется на достаточно малом расстоянии от фронта
кристаллизации. На формирование этого профиля существенное влияние
может оказывать и сток СТД на боковую поверхность кристалла
в |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 48 49 50 51 52 53 54... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
