Новые материалы
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 54 55 56 57 58 59 60... 734 735 736
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
2. МАТЕРИАЛЫ МИКРО- И
НАНОЭЛЕКТРОНИКИ |
|
|
|
|
|
со всеми вытекающими отсюда
последствиями. Наконец, серьезным дополнительным источником СТД и
микродефектов в кристаллах соединений являются образование и распад
пересыщенных твердых растворов избыточных компонентов соединения,
обусловленные отклонением от стехиометрического состава и ограниченной
растворимостью избыточного компонента в кристаллической решетке
матрицы и ее ретроградным характером. Последнее нуждается в дополнительных
комментариях.
Большинство полупроводниковых
соединений, например из семейства AinBv, имеют
относительно протяженную область гомогенности. При этом растворимость
избыточных компонентов в кристаллической решетке матрицы носит
ретроградный характер. Максимальная растворимость наблюдается при
температурах на 60...100°С ниже температуры кристаллизации соединения
стехиометрического состава и достигает (3...5) • 1019
ат/см3. Если кристалл выращивается в условиях
существенного отклонения от стехиометрического состава, то в процессе
посткристаллизационного охлаждения или при последующих термических
обработках в определенном интервале температур возможно образование
избыточным компонентом пересыщенных твердых растворов и их распад с
формированием в кристаллической решетке тех или иных микродефектов. В
большинстве соединений AinBv избыточные атомы
А111 образуют твердые растворы вычитания, а избыточные атомы
Bv — преимущественно твердые растворы внедрения. В первом
случае распад идет по схеме А]11 —>
А(ш + Уми, где
А]11 — атом элемента III группы в узле соответствующей
кристаллической подрешетки, А-111 — этот же атом в междоузлии,
VMU — вакансия в подрешетке элемента III группы.
Образующиеся межузельные атомы А-111 сначала формируют
скопления, а на более поздних стадиях распада — дисперсные выделения
второй фазы. Вакансии Укт, взаимодействуя с
вакансиями FBV, могут образовывать микроскопические поры, а
также дислокационные петли вакансионного типа. В процессе распада возможно
формирование и антиструктурных дефектов: А,111 +
Vm -» АЦ{.
Во втором случае схема
микродефектообразования выглядит примерно следующим образом:
избыточные ВУ -» скопление ВУ -> дисперсные выделения
Ву. Так как при наличии в кристаллах избыточных атомов
элемента V группы в кристаллической решетке соединения наряду с атомами
ВУ в соизмеримых концентрациях
присутствуют вакансии в подрешетке элемента III группы, то и в данном
случае в процессе распада возможно образование вакансионных микропор,
а также соответствующих антиструктурных
дефектов. |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 54 55 56 57 58 59 60... 734 735 736
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
