Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 95 96 97 98 99 100 101... 423 424 425
|
|
|
|
4.Ї. Коэффициенты распределения в равновесных условиях (^о) И в условиях кристаллизации при лазерном отжиге (^^) Примесь примесь Примесь ft'** в р As 0,8000 0,3500 0,3000 1,00 1,00 1,00 Sb Ga 0,0230 0,0080 0,70 0,20 In Bi 0,0004 0,0007 0,15 0,40 * По данным работы [28]. ** Значения k' получены при скорости кристаллизации 2,7 м/с для В, Р и Sb и 4,5 м/с для As, Ga, In и Bi. Кристаллизации составляет 2 J м/с. Как показано в таблице, в каждом из случаев значение k' значительно выше равновесного значения ко, а иногда зто превышение достигает 600 крат. Такие высокие значения k' по сравнению с отражают сильно неравновесный характер процесса эпитаксиальной перекристаллизации, инициированного лазерным отжигом. Результаты, представленные на рис. 4.5 и 4.6, а также в табл. 4.1, свидетельствуют об очень большой перспективности изучения высокоскоростной неравновесной кристаллизации в условиях строго контролируемых экспериментов. 4.2,2. Зависимость коэффициента распределения на границе раздела k' от скорости кристаллизации Экспериментальные данные, которые были описаны выше, свидетельствуют о том, что для имплантированных гірі^месей при высоких скоростях затвердевания, значения превышают равновесные и в итоге приближаются к единице. Однако при заданных условиях облучения (т. е. при фиксированной скорости движения границы раздела между жидкой и твердыми фазами), результиру-юш,ее значение k' не находится в корреляции с соответствующим равновесным коэффициентом распределения ^о, как показано на рис. 4.2. Это подтверждает положение, что процесс перераспределения примеси управляется кинетикой на границе раздела, а не равновесными термодинамическими ограничениями. В прошлом для описания неравновесных коэффициентов распределения при быстрой кристаллизации предлагались теоретические подходы [29, 30], однако не имелось экспериментальных данных. Опыты по лазерному легированию дают возможность расширить исследования в данном направлении. Их анализ выполнен в гл. 3. На основе имеющихся экспериментальных данных, не учитываю-ІЦИХ некоторые летали, которые будут обсуждены ниже, можно полагать, что коэффициент распределения на границе раздела зависит от скорости таким образом, как представлено схематически на рис. 4.7. Область малых скоростей, в которой к'і:і^ко и область высоких скоростей, в которой k'kQ и стремится к насыщению,
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 95 96 97 98 99 100 101... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
