Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 423 424 425
|
|
|
|
0.2 h.Mrtti 0,2 Н,мпп Рис. 4.5. Профили концентрации С для ^^As (энергия 100 кэВ, доза атомов 6,4-10'^ см~2) имплантированного в поверхность Si (100) по глубине слоя h в сравнении с модельными расчетами [10]: / — после имплантации; 2 —после лазерного отжига; 5 —расчетный при ft^="l,0; ^ — предел равновесной растворимости Рис. 4.6. Профили концентрации С для ^^^In [энергия 125 кэВ, доза атомов 1,2*10^^ см"^^] в поверхности Si (ЮО) по глубине слоя h в сравнении с модельными расчетами [10]: /—после имплантации; 2 — после лазерного отжига; 3 и 4 —расчетный при fe'=0,15 и при й'=йо=0"0004 соответственно; 5 — предел равновесной растворимости более чем В 50 раз превышает предел равновесной растворимости в этой зоне, профиль концентрации индия в объеме аппроксимируется с удовлетворительной точностью расчетом при ^^ = 0,15. в то же время расчет при равновесном значении (^о = 4-10-^), данные которого показаны штриховой кривой 4, совершенно расходится с экспериментом. Если бы затвердевание протекало в условиях локального равновесия на границе раздела фаз, то почти весь индий должен был бы собраться у самой поверхности, а в объеме его содержание было бы ничтожным. Очевидно, что это совершенно не соответствует данным экспериментов. Используя методику, описанную выше, определили значения для примесей элементов III, V групп в кремнии в условиях высоких скоростей кристаллизации при отжиге импульсным лазером [10]. Значения k\ полученные при лазерном отжиге, приведены в табл. 4.1 в сравнении с величинами, соответствующими равновесию (^о). Данные для k' получены при скоростях кристаллизации 4,5 м/с за исключением бора, фосфора и сурьмы, для которых скорость 96
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 94 95 96 97 98 99 100... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
