Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 93 94 95 96 97 98 99... 423 424 425
|
|
|
|
Рис4,4. Профили концентрации ирп твердой фазах на различных стадиях затвердевания. В расчетах приняты значения ^^^0,1; и^2 м/с; — ^10-^ cmVc [27]: Ж ЖИДКОСТЬ; ТТ — твердое тело д... j \ УС 1и. ^1 Г-¥5нс f=50HC WOQO нечных разностях в предположении постоянства величины ife^ Как видно из рис. 4.4, примеси отражаются от поверхности затвердевания и накапливаются до высоких концентраций в жидкости у гранты раздела. Затвердевание последнего слоя расплава приводит к появлению окончательного пика концентрации у иоверхиости. Въшолияя подобные расчеты при варьировании значений k' и сравнивая расчетные профили концентрации примеси в твердой фазе с экспериментально полученными распределениями, можно определить значения k\ удовлетворяющие условиям кристаллизации при таких высоких скоростях, пример подобного сравнения для случая распределения мышьяка в кремнии представлен на рис. 4.5 [10]. Как следует из данных метода обратного резерфордовского рассеяния и ионного каналирования, после лазерного отжига мышьяк образует более 95% узлов замещения в кристаллической решетке, хотя его котхентранпя C^^As) в приповерхностном слое превышает предел растворимости в твердой фазе в 4 раза. Это подтверждает образование пересыщенного сплава в результате процесса эпитаксиальной Перекристаллизации, протекающего с высокой скоростью в жидкой фазе. Сплошной кривой 3 на рис. 4.5 показан профиль концентраций, рассчитанный в предположении, что коэффиаиент распределения 1,0. Согласие между расчетом и экспериментальными данными {2), полученными после лазерного отжига, является превосходным. Полученное для значение существенно превышает равновесную величину (/^'^0,3). Увеличеме коэффициента распределения в сравнении с равновесной величиной является следствием высокой скорости кристаллизации, при которой происходит отклонение от условий локального равновесия на границе раздела фаз при затвердевании. Отсутствие признаков сегрегации мышьяка У поверхности является дополнительным свидетельством того, что величина k' должна быть очень близка к единице. На ряс. 4.6 приведены подобные же результаты для распределения индия в кремнии. Окончательный дик концентрации у поверхности после лазерного отжига свидетельствует о том^ что величина много меньше единицы. Индий, остающийся в объеме кристалла после лазерного отжига, более чем на 90% образует фазу замещения в кристаллической решетке (что подтверждается данными ионного каналирования), даже если его концентрация 95
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 93 94 95 96 97 98 99... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
