Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 92 93 94 95 96 97 98... 423 424 425
|
|
|
|
ну в твердой фазе Ds {^IQ-^^ см^/с для элементов III, V групп периодической системы элементов) даже в точке плавления. Коэффициент распределения на границе раздела при перекристаллизации (k^) оказывает определяющее влияние на конечные профили концентрации примесей по толщине слоя после лазерного отжига. Это подтверждено данными Фоти [24], приведенными на рис. 4.2, для распределений теллура, меди и висмута в кремнии. Лазерный отжиг вызывает сегрегацию всей имплантированной меди к поверхности. Напротив, теллур частично перераспределяется, причем степень накопления у поверхности заметно снижается. Висмут служит как бы промежуточным примером, поскольку зона распределения, возникшая после имплантации, равномерно расширена, л висмут умеренно накопляется у поверхности. Различия в профилях концентрации после лазерного отжига прямо связаны с различиями в значениях коэффициента для указанных выше трех примесей в кремнии при скоростях кристаллизации порядка нескольких метров в секунду. Перераспределение имплантироваянои примеси за счет диффузии в расплаве может быть рассчитано методом численного решения уравнения массопереноса, записанного в конечных разностях [5, 10, 25]. В этих модельных расчетах используется коэффициент к' как параметр аппроксимации для того, чтобы описать распределение примеси между твердой и жидкой фазами на каждой стадии кристаллизации. Значения определяются сравнением модельных расчетов с экспериментальными данными для профилей концентрации по методу наименьших квадратов. Хотя точное определение k' требует аппроксимации всего профиля распределения примеси, некоторые простые оценки могут быть сделаны по измерениям степени накопления примеси у поверхности [26]. На рис. 4.3 приведены данные о степени накопления лримеси у поверхности в зависимости от приведенной толщины :| = tfZ/(4Di), где Z—максимальная толщина слоя жидкости; v — скорость затвердевания; Di — коэффициент диффузии в жидкой фазе. Накопление у поверхности определяется количеством примеси, остающейся в последних 10% слоя жидкости при завершении затвердевания. Кривые рассчитаны для различных значений k' и отнесены к исходному постоянному распределению примеси в слое жидкости. Эти кривые выходят на насыщение при содержании примеси 90%, поскольку в расчет принимается только примесь, перенесенная за счет сегрегации. Значения k', определенные данным методом, оказались в удовлетворительном согласии с теми, которые определялись методом аппроксимации всего профиля концентрации для исходного гауссового распределения с 0,05^^'^0,5 при Z= = Rp^ARp, где Rp — ожидаемое значение; ARp — его разброс. На рис. 4.4 приведены расчетные непрерывные профили концентрации примеси в твердой и жидкой фазах на различных стадиях затвердевания [27]. Эти профили получены в результате численного решения уравнения диффузии примеси, записанного в ко 54
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 92 93 94 95 96 97 98... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
