Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 423 424 425
|
|
|
|
скорости кристаллизации [12, 13], так и кристаллографической ориентации [14]. Для каждого элемента III, V групп имеется максимальное значение концентрации C^^^ которое может быть достигнуто при замещении в кристаллической решетке кремния при лазерном отжиге [10]. Значения Cf^^ зависят от скорости кристаллизации и достигают предсказываемых термодинамических пределов захвата примесей в кремнии [15], Было обнаружено, что значения С s ограничены деформацией решетки (для случая распределения бора в кремнии) и нестабильностью границы раздела, которая проявляется при кристаллизации вследствие концентрационного переохлаждения на этой границе [15]. Нестабильность границы раздела приводит к образованию ярко выраженной ячеистой структуры в подповерхностной зоне [12, 16, 17]. Как концентрация примеси в расплаве, при которой проявляется нестабильность, так и размер появляющейся ячейки могут быть оценены с удовлетворительной точностью при использовании теории возмущений Муллинса — Се-керки, модифицированной с учетом больших отклонений от локального равновесия на границе раздела при кристаллизации [16, 17]. При эпитаксиальной перекристаллизации жидкой фазы идеальные атомные плоскости растут из жидкости слой за слоем и процесс заканчивается на поверхности. Недавними исследованиями показано, что лазерный отжиг приводит к эпитаксиальной перекристаллизации жидкой фазы в самом верхнем монослое кристалла [18, 19]. Эти исследования показали, что высокие скорости затвердевания и очень высокие скорости охлаждения могут приводить к образованию метастабильных поверхностных структур [20] и поверхностей с сильно измененными электронными характеристиками [21]. Кроме того, было обнаружено, что обработка импульсным лазером в сверхвысоком вакууме может быть использована для получения "атомарно-чистых" поверхностей кремния и германия [22]. Возможность получения чистых высокоупорядоченньгх поверхностей в сверхвысоком вакууме за очень короткие промежутки времени может иметь весьма большие перспективы в таких областях, как нанесение эпитаксиальных покрытий молекулярным лучом, в которых свойства поверхности подложки определяют качество наносимой пленки. 4.2, Сегрегация, пересыщенные сплавы и захват примесей 4.2.1. Определение коэффициентов распределения Коэффициенты распределения на границе раздела могут быть определены путем сравнения данных модельных расчетов перераспределения примеси при лазерном отжиге с данными измерения 91
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 89 90 91 92 93 94 95... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
