Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 88 89 90 91 92 93 94... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 4. Сегрегация, пересыщенные сплавы и поверхности полупроводников С. У. Уайт, Д. М. Зенер, Отдел твердого тела, Оукриджская национальная лаборатория, г. Оук-Ридж, штат Тенесси, США С. У. Кампизано, Институт структуры материалов Университета Катании, Италия А. Д. Каллис, Королевский центр исследований но радарной и радиотехнике, г. Малверн, Англия По материалам: П. Зифферт 4.1. Введение При импульсном лазерном отжиге ионно-имплантированных полупроводников происходит быстрое выделение энергии в подповерхностном слое, которое приводит к его проплавленню на глубину несколько тысяч ангстрем, а затем к эпитаксиальной перекристаллизации жидкой фазы вверх от нижележащей подложки [1—4]. В кремнии скорость движения границы раздела между расплавом и твердой фазой, по данным работ [5, 6], составляет несколько метров в секунду, и эти данные подтверждаются недавними измерениями временной зависимости электропроводности расплавленного слоя,, результаты которых приведены в работе [7]. После затвердевания отожженная зона свободна от развитых дефектов [8, 9] и примеси элементов ПІ, V групп периодической системы элементов образуют, как правило, узлы замещения в кристаллической решетке, даже если концентрация намного превышает пределы растворимости в равновесных условиях [10]. При очень высоких скоростях затвердевания, которые достигаются при лазерном отжиге ионно-имплантированного кремния, перекристаллизация в зоне проплавлення осуществляется в условиях, весьма далеких от равновесия на движущейся границе раздела между расплавом и твердой фазой. Эти очень высокие скорости, а также возможность их регулирования представляют исследователю прекрасные возможности для систематического изучения неравновесной кристаллизации в строго контролируемых условиях экспериментов. Данные таких экспериментов свидетельствуют о том, что примеси замещения могут быть включены в кристаллическую решетку с концентрациями, далеко превышающими пределы равновесной растворимости [10, И]. Значения неравновесного коэффициента распределения на границе раздела {k^) с жидкостью может быть определено путем сравнения данных модельных расчетов диффузии примесей с экспериментально измеренными профилями концентрации этих примесей. Результаты такого сравнения свидетельствуют о том, что значения намного выше значений соответствующих равновесных величин для примесей элементов ПЇ, V групп в кремнии [10]. Величина k' является функцией как 90
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 88 89 90 91 92 93 94... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
