Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 80 81 82 83 84 85 86... 423 424 425
|
|
|
|
кристалл Жидкость Рис. 3.15. Иллюстрация структурного переохлаждения, существующего в области CS, если фактический градиент температуры и мал по сравнению с изменением температуры ликвидуса в зависимости от расстояния L. Изменение температуры ликвидуса связано с изменением состава. Если же фактический температурный градиент S достаточно велик, то структурное переохлаждение не наблюдается Для материалов, имеющих высокие изотропные скорости роста, т. е. для тех, которые находятся при температурах, выше температуры появления поверхностной шероховатости, стабилизации фронта роста кристалла осуществляется созданием температурного градиента. Однако в тех случаях, когда температура в маточной среде увеличивается, область, находящаяся впереди границы раздела, оказывается переохлажденной. Этот эффект, обусловленный скоплением на фронте роста кристалла вытолкнутых примесей, известен под названием "концентрационное переохлаждение" [35]. Как и при изотермическом росте, вытолкнутые примеси понижают температуру роста в кристалле и переохлаждение оказывается выше вдали от кристалла. Однако температура в этом случае также увеличивается вдали от кристалла. Описанная ситуация иллюстрируется рис. 3.15. Если температура увеличивается быстрей, чем изменяется состав, граница раздела будет стабильной. Если же влияние состава оказывается преобладающим, то проявляется концентрационное переохлаждение и могут возникнуть нестабильности. Согласно критерию перехода, который можно получить из рис. 3.15, фронт роста кристалла (3.21) должен становиться нестабильным при условии где m — наклон линии ликвидуса на фазовой диаграмме; ^ = Cs/C/— коэффициент распределения; D — коэффициент диффузии в жидкости; V'—скорость роста; Q — состав вдали от границы раздела, а G —созданный температурный градиент. Анализ стабильности фронта кристаллизации в указанных условиях был впервые выполнен Маллинсом и Секеркой [36]. Они исследовали рост бесконечно малого возмущения на границе раздела и определили условия, при которых возмущение будет расти или, наоборот, уменьшаться. Условие роста возмущения дается соотношением D (3.22) где G* — взвешенное среднее температурных градиентов в твердом теле и жидкости; 5 — "функция стабильности". Предложенное соотношение сходно с уравнением (3.21) для нормальных условий 82
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 80 81 82 83 84 85 86... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
