Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 79 80 81 82 83 84 85... 423 424 425
|
|
|
|
ника тепла. Такая схема выращивания предпочтительна в тех случаях, когда ATj мало и определяющее значение приобретает АТиг так что скорость роста определяется тепловым потоком. Простейшим случаем является схема, предложенная Бриджменом, в которой ампула, содержащая образец, нагревается до температуры плавления в печи и затем медленно вытягивается из нее. Температура печи, а в ряде случаев и внешняя температура, выбираются из условия обеспечения роста кристалла при выводе ампулы из печи. Уравнение (5.20) по-прежнему применимо для описания процесса, однако межфазная граница находится при температуре, диктуемой температурным градиентом. В результате характер переохлаждения таков, что область заданной скорости роста кристалла, определяемая некоторой изотермой, перемещается вдоль образца. Таким образом, можно задавать необходимую скорость роста. Естественно, существуют предельные значения, определяющие диапазон получения стабильного роста кристаллов высокого качества. Выращивание кристаллов по методу Чохральского также относится к этому типу процессов, поскольку связано с вытягиванием кристалла из расплава. То же самое можно сказать о методе МВЕ^ при котором рост кристалла определяется потоком атомов к поверхности. К этому же классу относится лазерный отжиг с использованием сканирующего пучка непрерывного лазера, а также импульсного лазера. Во всяком случае скорость роста кристалла при этом определяется непосредственно потоком теплоты, а он, в свою очередь, задается экспериментатором. 3,8. Концентрационное переохлаждение Переохлаждение на межфазной границе является необходимым условием роста кристалла. При росте из растворов, вещество в целом является переохлажденным, так как раствор обычно изотермичен. Состав раствора, как правило, обогащен компонентами, вытолкнутыми растущим кристаллом и в результате переохлаждение вблизи кристалла меньше, чем вдали от него. В такой ситуации рост оказывается нестабильным, поскольку меньшая величина переохлаждения вблизи кристалла уменьшает скорость его роста. Три рассмотренной схеме, например в случае металла, находящегося в собственном расплаве, или льда в переохлажденной воде, рост происходит очень быстро и приводит к дендритной структуре. Дендриты быстро заполняют контейнер с кристаллом и устраняют переохлаждение. Кристаллы, характеризующиеся малой скоростью роста и требующие значительного переохлаждения, могут оказываться стабильными в переохлажденной среде. Высококачественные кристаллы в этом случае могут быть выращены только при подавлении нестабильностей на границе раздела за счет малой собственной скорости роста или анизотропии скорости роста. 81
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 79 80 81 82 83 84 85... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
