Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 78 79 80 81 82 83 84... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 3.13. Схемы изотермического роста кристалла 1 из пересыщенного раствора 2 (а) и роста кристалла по методу Бриджмена (б), когда ампула с растущим из жидкости 4 кристаллом J вытягивается из печи 3 с заданной скоростьк Рис. 3.14. Схематическое изображение температур, существенных с точки зрения изображенного на рис. 3.13 роста кристалла: — температура жидкости вдали от кристалл?!; Т'д^ — температура жидкости на поверхности кристалла; Тф — фактическая температура кристалла, которая для обеспечения роста должна быть ниже Г'^; — температура ^занны вдали от кристалла, которая должна быть ниже Тф^^, чтобы обеспечить отвод теплоты фазового перехода примеси, которые понижают температуру роста; фактическая температура кристалла Т должна быть выше температуры ванны,, чтобы обеспечить отвод теплоты кристаллизации. Тепловой поток, массоперенос и переохлаждение границы раздела связаны соотношением Тм ~ Тв=^Т, + АГ;(3.20) где Тм—T'u=tsTc; Т'м—T = ATj; Т^Тв = АТн^ В зависимости от конкретной ситуации, определяюпхцм может оказаться одно, два или все три перечисленных слага^мых. При росте кристалла из раствора, когда скорость процесса невелика, во многих случаях определяющим являегся тепловой поток, при этом следует различать два предельных случая. Первый определяется соотношением Тм—Тв'^АТс^ЬТи при котором доминирующим оказывается массоперенос, и скорость роста ограничена диффузией, а Тм-^Тв. Второй предельный случай определяется соотношением Тм—Тв^ ^АТ'/^^ДГс, так что Тм^^Тм и процесс роста определяется состоянием границы раздела. Экспериментальный контроль пересыщения чаще всего используется, если процесс роста кристалла определяется строением границы раздела и необходимы большие значения пересыщений, чтобы обеспечить достаточную скорость роста, а небольшая истинная скорость роста подавляет нестабильности на межфазной границе раздела. Вторая возможная схема осуществления роста кристалла показана на рис. 3.13, б. Ее суть заключается в том, что растущий кристалл помещается в область температурного градиента и скорость роста определяется положением образца относительно источ 80
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 78 79 80 81 82 83 84... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
