Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 77 78 79 80 81 82 83... 423 424 425
|
|
|
|
дет протекать спонтанно. Это явление известно под названием взрывной кристаллизации [34]. Оно может происходить очень быстро, со скоростями, превышающими 1 м/с. Процесс чувствителен к тепловым потерям и обычно образец должен быть нагрет (до нескольких сот градусов Цельсия), прежде чем фронт кристаллизации после ее начала будет распространяться самопроизвольно. Взрывная кристаллизация легче происходит в толстом аморфном слое, чем в тонком, и на подложках с низкой теплопроводностью, чем с высокой. Эти результаты находятся в согласии с выводами теории теплопереноса: теплота плавления идет не только на нагрев подложки, но и на нагрев аморфной фазы. Увеличение толщины аморфного слоя и снижение теплопроводности подложки уменьшают рассеяние теплоты и облегчают нагрев аморфной фазы до температуры плавления. 3.7. Тепловой поток и кристаллизация Обычный процесс кристаллизации требует, чтобы для осуществления процесса скрытая теплота отводилась из области границы раздела фаз. При росте из раствора или из расплава компоненты, которые не вошли в состав кристалла, оказываются в исходной фазе в более высокой концентрации. Под действием диффузии и других процессов массопереноса эти компоненты уносятся из области, непосредственно примыкающей к кристаллу. Третий важный фактор — скорость собственного роста, т. е. скорость, с которой атомы или молекулы могут переходить в кристалл; выше этот процесс подробно обсуждался на примере кремния. В этом параграфе кратко рассмотрено, какова взаимосвязь трех перечисленных процессов во время роста кристаллов. Применительно к эксперименту следует рассмотреть два различных случая. Во-первых, рост кристаллов можно контролировать, задавая температуру среды, в которой происходит рост, а во-вторых, изменяя температуру самого кристалла, например вынимая его из печи. В первом случае, который иллюстрируется рис. 3,13, а, и является характерным для роста кристалла из раствора, роста в потоке, гидродинамического роста и т. д. , кристалл помещается в пересыщенную (переохлажденную) среду. Состав и температура устанавливаются (или во многих случаях изменяются по заданной программе) таким образом, что кристалл растет с максимальной скоростью, при которой обеспечивается необходимое качество кристалла. Скорость роста контролируется не непосредственно, а скорее составом ванны и ее температурой. Как показано на рис. 3.14, в этом случае можно выделить две предельные ситуации. Пусть Тм и Гв —значения соответственно равновесной температуры и температуры ванны. Локальная равновесная температура вблизи поверхности кристалла может понижаться до Т^м, поскольку растущий кристалл выталкивает те 79
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 77 78 79 80 81 82 83... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
