Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 75 76 77 78 79 80 81... 423 424 425
|
|
|
|
твердевания. При малых скоростях роста независимо от исходной ориентации кристалла затвердевание приводит к формированию совершенной кристаллической структуры. Если скорость роста превышает некоторое критическое значение, достигаемое при плотности энергии 0,6 Дж/см2, образцы с исходной ориентацией (111) при затвердевании не образуют совершенного кристалла. Структура сохраняет кристалличность, но насыщена двойниками. При обработке образцов с ориентацией (100) такая структура не образуется. Подобный переход был обнаружен Ван-дер-Стиинховеном и Жилмером (работа готовится к печати) при расчете роста грани (111) в гранецентрированном кубическом кристалле по методу Монте-Карло. В расчетах интенсивное образование двойников предсказывается как для грани (111), так и для грани (ЮО), но Б первом случае оно происходит при значительно меньших скоростях роста. При больших скоростях роста кристалла образование аморфной фазы происходит как на грани (111), так и на грани (100) кремния. Существуют две точки зрения на природу перехода. Согласно одной из них переход рассматривается как динамический. Рост совершенного кристалла, происходящий вблизи точки плавления, требует чтобы каждый атом, оказавшийся в "неправильном" положении, успел покинуть его и переместиться в "правильное" положение, прежде чем он окажется под слоем других атомов. С возрастанием скорости роста вероятность исправления ошибки уменьшается. При достаточно высоких скоростях начнут появляться атомы в неправильных положениях. Причем одна ошибка в упаковке будет вызывать другую и качество кристалла очень быстро ухудшается. Второй подход к анализу перехода основан на термодинамике. Как видно из рис. 3.3, на основании термодинамических свойств кремния следует ожидать, что ниже некоторой температуры (т. е. выше некоторой скорости роста) аморфная фаза из жидкой должна расти быстрее, чем кристаллическая. Это объясняется тем [см. уравнение (3.4)], что скорость роста в неявной форме зависит от изменения энтропии. Фактически две отмеченные точки зрения не следует противопоставлять друг другу. Энтропийный член входит в выражение для скорости роста, поскольку при переходе атома из жидкой в твердую фазу с аморфной структурой у него имеется больше возможных положений размещения, чем при переходе в фазу с кристаллическим строением. Кинетический подход основан на гипотезе, согласно которой при высоких скоростях роста кристалла возрастает вероятность для атома не найти "правильного" положения. В рамках термодинамического подхода можно утверждать, что аморфная фаза может расти быстрей, поскольку она содержит меньше "правильных" узлов, чем кристаллическая. Два рассмотренных подхода — различные пути описания одного и того же явления. 77
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 75 76 77 78 79 80 81... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
