Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 74 75 76 77 78 79 80... 423 424 425
|
|
|
|
температуре плавления аморфной фазы. Проведенные недавно Донованом с сотрудниками (работа готовится к публикации) калориметрические измерения теплоты перехода аморфной фазы в твердое тело дали значение 11,3 кДж/моль, согласующееся с оценками Багли и Чена [28] и Спаепена и Тернбалла [29]. Измерения проводились на аморфных слоях толщиной 2 мкм. Переход из жидкой в аморфную фазу может происходить при температуре ниже 925°С, однако он маловероятен, если переохлаждение не достигает достаточно больших значений. В противном случае быстрей развивается переход из жидкого состояния в кристаллическое, а не аморфное. Вывод иллюстрируется зависимостями рис. 3.3, построенными на основании уравнения (3.4). Подвижность в случае переходов обоих типов предполагалась одинаковой, однако соответствующие зависимости пересекаются, поскольку изменение энтропии в случае перехода жидкость—аморфный кремний меньше. Из уравнения для скорости роста, предложенного Терн-баллом [см. уравнение (3.9)], не следует, что при больших скоростях аморфная фаза будет расти существенно быстрей. Однако если изменить данное уравнение и учесть энтропийный член, как это сделано в уравнении (3.4), то оно будет предсказывать пересечение кривых скорости роста при той же температуре, что показана на рис. 3.4. Образование аморфной фазы из жидкой недавно было обнаружено в экспериментах с использованием очень коротких лазерных импульсов, обеспечивающих высокие скорости затвердевания [30, 31]. Каллис [32] определил пороговую энергию перехода для граней (100) и (111). Его результаты приведены на рис. 3.11. При облучении ультрафиолетовым импульсом длительностью 2,5 не никакой модификации поверхностей (100) и (111) не наблюдается, если плотность энергии импульса ниже 0,2 Дж/см^. Увеличение плотности энергии вызывает больший нагрев образца и уменьшает скорость затвердевания. Чтобы внести ясность, обсудим эти результаты с другой стороны, т. е. проанализируем, что произойдет при уменьшении плотности энергии импульса и увеличении скорости за v,mIc 20 IS ю ПОО) Моиокристолл (111)Моииико8ание , (до вм/О 0.5 Рис. 3.11. Зависимость структуры, образующейся при лазерном отжиге, от энергии им-лульса. При плотности энергии / ниже порогового значения, равного примерно 0,2 Дж/см^, на обеих гранях отсутствуют какие-либо изменения. Аморфная фаза образуется в тонком слое при плотности энергии выше пороговой. При плотности энергии выше 0,3 Дж/см^ на грани (100) происходит рост мопокристалли-ческого кремния. На грани (111) аморфная структура сохраняется вплоть до плотности энергии 0,6 Дж/см^, Выше этого значения образуется кристаллическая структура с большим количеством двойников, при высокой плотности энергии на грани (111) также происходит рост монокристалла 76
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 74 75 76 77 78 79 80... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
