Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 423 424 425
 

энергии между равновесными конфигурациями (т. е. между Е и значениями АЯ) известны из термодинамики. Неизвестными являются барьеры на путях реакции. На основе этих рассуждений и обозначений, приведенных на рис. 3.6, можно записать f^l = С\ {Rt)o ехр [ Qj^KkbT)] = С\К1; RJ = C'a (/?і)оехр [ {qa + ^j)l[kbT)\^C%KJ\ (З Л) /?J=C^(/?^)oexp[-(Q5 + £)/(/^Br)] = C^/C^; = (/?:^)o ехр [ QsJikbT)] = C%K1. где Ci — составы на границе раздела, а величинами типа Д обозначены скорости реакции. Скорость роста кристалла определяется соотношением v=..?^-/?I + /?5-/?5,(3.12) а состав кристалла — соотношением C%IC\={Rt-RB)l{Rl-R'X).(3.13) Алгебраические преобразования позволяют получить к^С%1С'в=К'в1{^^К-в).(ЗЛ4) В равновесных условиях ке=Кв / в", так что k уменьшается с ростом скорости. Эти уравнения предсказывают, что концентрация не может превосходить предельной растворимости в твердой фазе, а такой вывод не согласуется с экспериментом. Уравнения были бы работоспособны, если бы не дискретное строение кристаллической решетки. Это означает, что если бы граница раздела представляла собой плоскость, двигающуюся со скоростью V, то состав жидкой фазы на этой математической плоскости можно было бы установить из условия соответствия скорости диффузии в жидкости и мгновенной скорости ухода атомов из кристалла. Однако примесные атомы на границе раздела окружены атомами кремния, принадлежащими кристаллу. Это снижает их подвижность и в результате кристаллизации других атомов кремния они оказываются "похороненными". Скорость введения или захвата примесных атомов в кристалле зависит в первую очередь от скорости продвижения фронта кристаллизации, а не от скорости реакции Rn [см. уравнение (3.11)]. Учесть описанное явление проще всего, предположив, что в кристалл из жидкости вблизи границы раздела по указанному механизму вводится часть примесных атомов, равная а. Тогда уравнения (3.12) —(3.14) принимают вид ^ = Ra--RJ + Rb -Rb+ avCL;(3.15) 71
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 69 70 71 72 73 74 75... 423 424 425

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Расчеты тепловых процессов при сварке
Сборка и сварка корпусов судов
Технологія конструкційних матеріалів і матеріалознавство: Практикум: Навч.посібник
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Металловедение пайки
Теорія зварювальних процесів. Дослідження фізико-хімічних і металургійних процесів та здатності металів до зварювання
Справочник по сварке цветных металлов

rss
Карта