Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 423 424 425
|
|
|
|
ме линией солидуса, а Ci — линией ликвидуса. Для галлия в кремния, яаяример, при малых концентрациях ^^=0,008 (см. рис. 3.5). При лазерном отжиге время существования расплава и скорость перекристаллизации могут быть рассчитаны на основе теории теплопроводности. Исходя из этой информации, можно рассчитать распределение примесей, приведенное на рис. 3.4. Равновесное значение k (0,008) приводит к профилям, которые не соответствуют наблюдаемым экспериментально. Значительно лучшее соответствие получается при использовании значения ^=0,2. Не следует связывать этот результат с отсутствием у атомов возможности покинуть область быстрого продвижения границы раздела. Расчет для /г=0,008 показывает, что атомы могут диффундировать достаточно быстро, чтобы быть вытолкнутыми на поверхность. Однако этого не происходит скорее всего потому, что атомы вводятся в кристалл с концентрацией, превышающей значения, предсказанные равновесной термодинамикой. Для объяснения этого явления было предложено несколько моделей. Одна из них представляет собой чисто математическую схему, не связанную с физическим строением границы раздела. 1ем не менее, она хорошо описывает многие экспериментальные данные [21]. Другая модель основана на диффузии через границу раздела, которая рассматривается отличной от модели фазового перехода [22]. Она не дает правильных значений для k в зависимости от скорости и ориентации. Третья модель [23] базируется на обоснованной физической модели, но она предполагает что переход происходит на удалении, равном нескольким межатомным расстояниям. Эта модель предсказывает, что значения k должны приближаться к единице при скоростях роста, меньших, чем фактически наблюдаемые. Скорость роста и ориентационная зависимость значения k хорошо описывается в модели "захвата примесных атомов", предложенной Джексоном [24] (см. гл. 4). Эта единственная модель, в которой предельное значение k, достигаемое при увеличении скорости, оказывается • /(ристалл Жидкость Твердое Шидкость тело ' меньше единицы. В основе этой модели лежит полученная по законам термодинамики зависимость между энергией и положением фронта роста, схематически изображенная на рис. 3.6. Различия в Рис. 3.6: а — схематическое изображение границы между расплавом и кристаллом:— скорость, с которой атомы Л переходят из расплава в кристалл и т. д. ; б — зависимость энергии матричного (Л) и растворенного (В) атомов сплава от расстояния до фронта кристаллизации в системах с изменяющейся растворимостью: Е — положительная величина в такой системе 70
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 68 69 70 71 72 73 74... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
