Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 4 5 6 7 8 9 10... 423 424 425
|
|
|
|
з 5 Кристаллизация аморфного кремния.............78 З 6. Взрывная кристаллизация..................78 З 7. Тепловой поток и кристаллизация.............79 3 8. Концентрационное переохлаждение , . , .........81 3 9 Дефекты, возникающие при лазерном облучении.......83 Список литературы...........................88 Глава 4. Сегрегация, пересыщенные сплавы и поверхности полупроводников ............................90 4.1.Введение.........................90 4.2. Сегрегация, пересыщенные сплавы и захват примесей.....91 4.2.1. Определение коэффициентов распределения ....91 4.2 2. Зависимость коэффициента распределения на границе раздела k' от скорости кристаллизации . . .97 4.2 3. Отжиг с использованием пикосекундного лазера ....103 4 2 4. Влияние ориентации..................105 425 Дополнительные параметры, влияющие на fe'.......106 4 2 6 Образование пересыщенных сплавов, максимальные растворимости примесей замещения . . .........108 4 2 7, Сравнение максимальных концентраций примеси в облас тях жидкой и твердой фаз......... . .112 4 2 8. Процессы, ограничивающие растворимость примесей замещения . ,.....................113 429 Концентрационное переохлаждение и выделение вторичных фаз........................116 4 210. Выводы по кристаллизации..............123 4.3.Свойства поверхности....................124 431. Очистка поверхности кремния..............125 4 3.2. Изучение поверхностей (100), (ПО) и (111) кремния после лазерного отжига..................127 43 3 Структурная модель отожженного лазером Si (111)-(1X1)130 434. Электронная структура Si (lll)-(lXl).........132 4 3 5 Электронные свойства поверхности высоколегированного кремния........................135 43 6. Выводы по поверхностным свойствам.........138 Список литературы...........................138 Глава 5 Процессы твердофазной перекристаллизации в кремнии . . .141 5 1. Введение.........................141 5 2. Обзор экспериментальных результатов............142 521 Влияние примесных атомов на перекристаллизацию ...142 52 2. Сегрегация, преципитация и перераспределение примесей149 5 2 3. Перераспределение и образование выделений в кристаллическом кремнии . ................153 524 Пересыщенные твердые растворы..........156 5 3. Модели перекристаллизации.................162 53,1 Граница раздела аморфной и кристаллической областей Случай перекристаллизации в отсутствие примесей ...162 53 2 Влияние имплантации малых доз ионов ......165 53 3 Имплантация больших доз ионов . ........169 54 Обобщение и выводы....................172 Список литературы ...........................174 Глава 6. Метастабильные фазы и сверхпроводимость .........177 61. Введение..........................177 6 2 Неравновесные методы...................181 62 1 Закалка из газовой фазы...............181 622 Закалка из жидкой фазы...............182 6.2 3. Ионная имплантация и облучение ^..........182 6
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 4 5 6 7 8 9 10... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
