Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 66 67 68 69 70 71 72... 423 424 425
|
|
|
|
(Ill), (100), (ПО) в кристалле со структурой алмаза. Пониженная равновесная температура была выбрана такой, что плоскость (Ш) оказалась чуть ниже температуры появления шероховатости и покрывалась бы "фасетками" в процессе роста, тогда как все остальные плоскости находились бы при температурах, превышающих значения, соответствующие появлению шероховатости, и, таким образом, не обнаруживали бы образования "фасеток". Скорости роста, пронормированные на скорость доставки единицы вещества, представлены на рис. 3.2. Хотя обе плоскости [(^^0) ^ (110)] находятся при температуре, которая выше температуры появления шероховатости, предсказывается некоторое различие в скоростях роста. В области малых переохлаждений для обеих плоскостей справедлива линейная зависимость от Д^х, не выполняющаяся при росте плоскости (111). Комбинируя для исключения температурной зависимости скорости доставки полученные значения скоростей роста с уравнением (3.4), получаем приведенные на рис. 3.3 зависимости. 3.3. Захват примесных атомов Одно из наиболее интересных явлений при лазерном отжиге кремния — это возможность удержать в решетке большое количество легирующей примеси (см. гл. 4). Этот результат иллюстрируется рис. 3.4 [20]. Ионная имплантация в кремний осуществлялась ионами галлия с энергией 100 кэВ, а доза легирования составляла 6,17-10^^ см-^. Концентрационный профиль атомов галлия изображен светлыми кружками и определялся по данным обратного резерфордовского рассеяния. Имплантация приводила к разрушению кристаллического строения поверхностного слоя и его аморфизации на глубину А=0,1...0,15 мкм. После лазерного отжига, кристаллическое строение слоя восстанавливалось, а галлий оказывался распределенным так, как показано темными кружками. Количество атомов галлия, внедренных в решетку, значительно превышает максимум, достижимый в равновесных условиях. При последующем печном отжиге избыточный галлий выпадает из решетки, подтверждая, что концентрация галлия действительно значительно превосходила максимальную равновесную растворимость. Фазовая диаграмма системы Ga—Si приведена на рис. 3.5. Как показано пунктирной кривой солидуса 5, галлий в кристаллическом кремнии обладает изменяющейся растворимостью, а именно: с понижением температуры концентрация растворенной в твердом теле примеси сначала возрастает, а затем уменьшается. Такое поведение характерно для сплавов, в которых растворимость примесных атомов в твердой фазе весьма мала. Условием приведенной на рис, 3.5 зависимости в твердом теле является большая энтальпия растворенного вещества в кристалле, чем в жидкости. При условиях, близких к равновесным, т. е. в условиях обычного роста, концентрация растворенных в твердом теле атомов не еа
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 66 67 68 69 70 71 72... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
