Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 64 65 66 67 68 69 70... 423 424 425
|
|
|
|
стает линейно во всем температурном диапазоне переохлаждений. Это означает, что активационная энергия присоединения атомов к кристаллу такая же, как активационная энергия вязкого течения жидкости. Другими словами, подві^жность в жидкой фазе определяет скорость доставки на поверхность кристалла. Скорость роста Ge02 при использовании подходящего значения Л может быть правильно описана уравнением (3,4). Сходные результаты, однако обычно в более узком температурном диапазоне, получены для многих материалов, которые имеют высокую вязкость расплавов, включая стеклообразующие вещества, полимеры и органические материалы [16]. Для материалов с меньшей вязкостью, таких, как жидкие металлы, скорость роста кристалла велика при весьма небольших переохлаждениях поверхности раздела; в результате ее никому не удавалось точно определить. Основной причиной является возмущающее влияние теплового потока. Имеющиеся данные по скоростям роста дендритов в переохлажденных расплавах позволяют установить зависимость скорости от начальной температуры ванны, но не от температуры подерхности раздела [17]. Например, скорость роста в переохлажденном кремнии измерена Уолкером [18], что дало значение 40 м/с при переохлаждении Б 175 градусов. Это самая большая из экспериментально обнаруженных скоростей роста дендритов. Переохлаждение требуется прежде всего для отвода теплоты от вершин дендритов. Представляется разумной оценка, согласно которой фактическое переохлаждение границы раздела по крайней мере в 5—10 раз меньше. Уравнение (3.4) удовлетворяет этой оценке при соответствующем выборе значения Л (0,3...0,1 значения). Тернбалл предложил альтернативу уравнению (3.4). Он предположил, что частота соударений в расчете на один узел поверхности зависит от скорости звука так, что скорость роста определяется уравнением v^v,/(Ar)/r.(3.9) Предложенное уравнение дает значения, согласующиеся с данными Уолкера для никеля, но несогласующиеся с данными для Ge02 и других стеклообразующих материалов. Тернбалл указывает, что согласно экспериментальным данным Рула и Хилша [19], существует низкотемпературное превращение в осажденных металлических пленках, не требующее термической активации. Они обнаружили, что металлические пленки, осажденные при температуре жидкого гелия, претерпевают превращение при температурах порядка 20 К. Это указывает на весьма малую величину активационного барьера превращения. Однако не очевидно, что наблюдавшееся превращение является кристаллизацией. В области малых переохлаждений (АГ/Г0,1) уравнения (3.4) и (3,9) дают сходные результаты, поэтому будем использовать уравнение (3,4), чтобы преобразовать результаты расчета по методу Монте-Карло к реальным скоростям роста. 66
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 64 65 66 67 68 69 70... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
