Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 62 63 64 65 66 67 68... 423 424 425
|
|
|
|
это значение свободной энергии содержит большой вклад энтропийного слагаемого, а его можно определить лишь из анализа поверхностных конфигураций. Первые уравнения роста кристаллов, таким образом, описывают два предельных случая: во-первых, область температур, намного меньших Г;?, когда важно образование зародышей, и, во-вторых, область температур, превышающих Г/?, в которой скорость роста определяется уравнениями (3.3) или (3.4), В последнем случае движение дислокаций несущественно. Учет дислокаций важен лишь при наличии высокого барьера для создания зародышей. Многие кристаллы растут в промежуточных условиях, когда новые слои образуются сравнительно легко. При этом дислокации влияют на скорость роста, но это влияние не является определяющим. Выраженная анизотропия скорости роста объясняется различием температуры образования шероховатости Tj^ для разных граней кристалла. Небольшие различия 1\ могут вызывать значительные изменения в скорости образования зародышей новых слоев и, таким образом, объясняют анизотропию скорости роста. При росте из паровой фазы равновесная температура в зависимости от давления может быть выше или ниже Г/?. В случае роста из расплава, однако, температура плавления — вполне определенная величина (за исключением случая очень больших давлений) и при равновесии каждая кристаллическая грань находится выше или ниже температуры появления шероховатости [12]. Фасетки в процессе роста образуются только на тех гранях, которые находятся при температурах ниже температуры появления шероховатости. Например, хорошо известно, что на границе раздела кремния со своим расплавом, фасетка образуется лишь в плоскости (111). Высокоточный численный расчет роста кристалла и предсказание его скорости роста были проведены в работе [И] с использованием теории роста кристаллов Косселя — Странского [13, 14], основанной на модели Изинга. В этой теории предполагается, что атомы находятся только в узлах решетки. Реальная структура расплава, находящегося, например, в контакте с кристаллом, не рассматривается. Модель Изинга оказалась продуктивной при описании многочисленных трехмерных критических явлений, поскольку они определяются кооперативными процессами. Например, эта теория хорошо описывает переход в сверхтекучее состояние гелия, в котором кристаллическая решетка вообще не участвует. Модель Изинга описывает поведение вблизи Тс и предполагает масштабную инвариантность относительно Т/Тс. Аналогично в случае роста кристаллов не следует ожидать, что модель Изинга предскажет, например, Гя для границы раздела между кристаллом и расплавом. Но мы вправе ожидать масштабную инвариантность образования шероховатости относительно Т/Т/^. В случае роста из расплава присутствие плотноупакованной жидкости должно затруднять образование когерентных поверхностных кластеров, увеличивая темпера 64
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 62 63 64 65 66 67 68... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
