Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 61 62 63 64 65 66 67... 423 424 425
|
|
|
|
верхности, очевидно, зависит от числа и размера кластеров, образовавшихся самопроизвольно. По мере возрастания степени заполнения поверхности адсорбированными атомами, указанная избыточная энергия уменьшается. Для правильного описания процесса следует признать возможность осаждения адсорбированных атомов в следующем слое на поверхности кластеров, а также возможность ухода атомов из почти построенных слоев. В результате существует отличная от нуля вероятность образования переходной межфазной границы толщиной в несколько атомных слоев. Когда заселенность адсорбированных атомов становится достаточно большой, избыточная свободная энергия образования кластеров обращается в нуль. Это происходит при температуре, называемой температурой появления шероховатости Т/?. Выше этой температуры атомные плоскости не препятствуют перестройке поверхности раздела и она перемещается свободно, подобно границе раздела жидкость — жидкость [2]. Нижеуказанной температуры граница раздела блокирована атомными плоскостями и представляет собой барьер для образования новых слоев. Чем ниже температура (относительно Г/?) и чем меньше степень заселенности адсорбированных атомов, тем выше барьер для образования новых слоев. Скорость роста кристалла, предсказанная на основе машинного моделирования, зависит от того, находится ли равновесная поверхность выше или ниже температуры появления шероховатости. Выше температуры образования шероховатости скорость роста пропорциональна степени переохлаждения. Как видно из рис. 3.1, ниже температуры образования шероховатости в ограниченных интервалах значений скорость роста кристалла может быть аппроксимирована соотношением вида у = Уо(^ТГ^(3.8) где п постепенно возрастает с понижением температуры. При температурах, значительно меньших Г^?, скорость роста кристалла приближается к величине, даваемой классической теорией образования зародышей. В самом деле, уравнения теории образования зародышей хорошо работают [И] при условии, что используется подходящее значение свободной энергии ступеньки. К сожалению^ Рис. 3.J. Зависимость нормированного значения скорости R/K+ от разности химических потенциалов A\il{kT), рассчитанная по методу Монте-Карло для различных кристаллических поверхностей, характеризуемых отношением Тпл/Тл, где Г/г —равновесная температура появления шероховатости; Гпл —точка плавления кристалла
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 61 62 63 64 65 66 67... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
