Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 60 61 62 63 64 65 66... 423 424 425
|
|
|
|
сти. Анализ показывает, что если процесс роста контролируется дислокациями, то f должно линейно возрастать со степенью переохлаждения. Закон роста принимает вид v=Vo(Ar)2.(3.6) В ранних работах не рассматривалась равновесная концентрация адсорбированных атомов на поверхности кристалла и ее изменение в динамических условиях роста. Ясно, что если плотность адсорбированных атомов велика, то образование зародышей будет происходить значительно легче, чем при малых концентрациях. Франк и его коллеги исследовали данную проблему, применяя к слою адсорбированных атомов двумерную теорию упорядочения — разупорядочения. Они пришли к выводу, что кристаллы плавятся прежде, чем будет достигнута очень высокая плотность поверхностных адсорбированных атомов, и вследствие этого указанный эффект не должен оказывать большого влияния на рост кристаллов. Джексон [10] предположил, что в расчетах степени заполнения поверхности адсорбированными атомами следует использовать значение энергии фазового превраш,ения, а не энергии связи. Из этой теории следует, что при росте кристалла из расплава, когда энергия превращения мала, степень заполнения поверхности адсорбированными атомами будет весьма высокой. Равновесная степень покрытия адсорбированными атомами приблизительно определяется выражением ехр(-Г;^/Г^),(3.7) где те — температура равновесия между двумя фазами; 1\ — температура появления поверхностной шероховатости [1]. Температура tr возрастает с увеличением энергии превращения, но она зависит также от геометрии кристалла и оказывается выше для плот-ноупакованных граней. Таким образом, металлические кристаллы или кристаллы конденсированных инертных газов в контакте со своими расплавами обладают весьма высокой плотностью адсорбированных атомов (поверхности в атомарном масштабе шероховаты), тогда как те же самые кристаллы, находясь в равновесии со своим паром при низких температурах, характеризуются низкой плотностью атомов, особенно на гранях с малыми индексами. 2.2.2. Рост кристаллов как кооперативный процесс Для количественного анализа скорости роста кристалла необходимо ответить на следующий вопрос: что из себя представляет самый большой из кластеров, образованных адсорбированными атомами? Такой кластер явится зародышем роста нового слоя. Получить аналитическое решение для ответа на поставленный вопрос не представляется возможным, однако в нашем распоряжении имеются достаточно точные численные расчеты. Избыточная поверхностная энергия, необходимая для образования кластера на по €2
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 60 61 62 63 64 65 66... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
