Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 59 60 61 62 63 64 65... 423 424 425
|
|
|
|
свободный диффузионный пробег атома в жидкости; коэффициент [ учитывает тот факт, что не все соударения с поверхностью кри-стаяла приводят к кристаллизации. Позже сходное выражение было получено Френкелем [7] на основе анализа вязкости расплава. Вместе с тем формирование новых слоев связано с преодолением некоторого потент^льиого барьера. Его возникновение можно пояснить следующим образом. Рассмотрим поверхность идеального кристалла, содержащую несколько адсорбированных атомов и находящуюся в равновесии с исходной фазой. Если адсорбированные атомы не взаимодействуют, то скорость испарения равна произведению количества адсорбированных атомов на вероятность испарения одного из них: ^„с„ = Л^алс.а^О-(3.5) Теперь представим, что мы увеличили давление пара в газовой фазе. Скорость доставки атомов к поверхности возрастает, число адсорбированных атомов будет также увеличиваться до тех пор,, пока скорость испарения не сравняется со скоростью осаждения. Однако этого недостаточно для роста кристалла. Его рост будет происходить только в том случае, если плотность адсорбированных атомов окажется достаточно большой для проявления между ними взаимодействия и образования островков нового слоя. Образование зародышей новых слоев — определяющий фактор истинного роста кристалла. Размер барьера, связанного с необходимостью образования зародышей, определяется плотностью адсорбированных атомов. Как увидим далее, в некоторых случаях плотность адсорбированных атомов оказывается настолько большой, что барьер, связанный с созданием островков, обращается в нуль. Возвращаясь к историческому обзору, отметим, что Франк и др, [8] применили теорию зародышеобразования, развитую Вольме-ром и Фладом [9], к образованию новых слоев при росте кристаллов. Если использовать для расчета свободной энергии, связанной с отдельной поверхностной ступенькой, значения макроскопической свободной энергии, то теория зародышеобразования предсказывала, что кристаллы не должны расти при малых значениях пересыщений; минимальное значение пересыщения или переохлаждения, необходимое для роста кристаллов, равно 10...20%. Применительно ко льду, например, сказанное означает, что вода будет замерзать со сколько-нибудь заметной скоростью только в тех случаях, когда переохлаждение превышает величину АТ/Т^0,1, т. е. при температурах ниже —27°С. Подобный вывод не соответствует экспериментальным данным. Франк и его коллеги предположили, что дислокации, находящиеся в кристалле, непрерывно создают ступеньки на поверхности и устраняют необходимость образования зародышей новых слоев. Обмен атомами между исходной фазой и кристаллом происходит на поверхностных ступеньках и в результате активным ростом кристаллов сопровождается лишь некоторая доля / узлов на иоверхно 61
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 59 60 61 62 63 64 65... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
