Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 58 59 60 61 62 63 64... 423 424 425
|
|
|
|
анизотропию скорости кристаллизации. Качественное понимание анизотропии было достигнуто сравнительно давно, а количественные расчеты скоростей роста стали возможными благодаря развитию в последнее время численных методов. Объем главы не позволяет подробно рассмотреть данный вопрос; читателям можно порекомендовать работы [1, 2] и цитируемую в них литературу. Здесь мы попытаемся дать обзор современных представлений. Наилучшим путем достижения поставленной цели является краткий исторический обзор, поскольку при таком подходе представляется возможным рассмотреть и некоторые идеи, давшие толчок исследованиям кристаллического роста, но оказавшиеся впоследствие не вполне верными, Гиббс [3] в примечании к своему трактату "Равновесие неоднородных систем" предположил, что при кристаллическом росте "образование нового слоя может быть связано с преодолением потенциального барьера". Это предупреждение Гиббса игнорировалось в ряде первых теорий, предполагавших, что образование новых слоев не требует какой-либо активации. В случае роста кристаллов из паровой фазы [4, 5] результирующая скорость роста определяется разностью скоростей доставки атомов на поверхность и их испарения: ^-/?дост"^ися.(ЗЛ в равновесных условиях v=:0 и если скорость испарения зависит только от температуры поверхности, ее можно считать равной скорости доставки атомов в равновесных условиях при соответствующей температуре: ^ = ^рМ=.(3.3 Полученный результат можно сформулировать иначе, как пропорциональность между скоростью роста и разностью химических потенциалов двух фаз. В приведенном соотношении не учитывается потенциальный барьер образования новых слоев, и поэтому оно определяет верхний предел скорости роста. Аналогичное соотношение может быть получено для роста кристалла из раствора. В этом случае скорость роста зависит от разности значений химических потенциалов между исходной фазой и кристаллом. Соответствующее выражение для случая роста кристалла из расплава было получено Вильсоном [6] с использованием коэффициента диффузии в жидкости D: ^=~f{^-^^Pl-^?/ikT)]},(3.4 где Ар, — разность значений химического потенциала в кристаллической фазе и расплаве; а — межатомное расстояние; Л — средний 60
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 58 59 60 61 62 63 64... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
