Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 423 424 425
|
|
|
|
Глава 3. Рост кристаллов и фазовые превращения Л'. А. Джексон, Лаборатории фирмы "Белл", г. Мюррей-Хилл, штат Нью-Джерси, США По материалам: Д. Тернбалл, Дж. М. Поут, П. Баэрщ Л. Бьюн^ Л. Дж. Каллис 3.1. Введение Рост кристаллов происходит обычно в результате фазового перехода первого рода, т. е. в условиях сосуществования двух различных фаз и наличия межфазной границы, перемещающейся во время процесса. Межфазная граница может пересекать образец при практически постоянной температуре; в результате выделение конечного количества теплоты при фазовом переходе приводит к бесконечно большой удельной теплоемкости, в противоположность рассмотренному случаю фазовые переходы более высоких порядков характеризуются пространственной гомогенностью. Например, процессы "упорядочения" развиваются равномерно по всему объему и происходят в определенном интервале температур. В результате удельная теплоемкость оказывается конечной величиной. Равновесие между двумя фазами определяется их объемными свойствами, а кинетика фазового перехода первого рода зависит от строения межфазной границы раздела. По самому определению фазового перехода первого рода эта область неоднородна и детальный анализ процесса сложней, чем в случае фазовых переходов более высоких порядков. Например, рост кристалла зависит от наличия зародышей новых слоев. В свою очередь, их существование определяется наличием обеих фаз. На сегодня отсутствуют точные аналитические методы описания подобных кооперативных процессов. Их, однако, можно исследовать достаточно подробно^ применяя численный анализ на базе метода Монте-Карло. Возможности машинного моделирования ограничены временным фактором. В результате абсолютное большинство моделей построено для условий, далеких от равновесных, когда скорость роста кристалла значительно выше наблюдаемой в лабораторных условиях. Только для таких скоростей роста можно проследить особенности формирования значительных количеств кристаллической фазы в машинном эксперименте. Тем не менее машинное моделирование позволяет понять основы процессов роста кристаллов. Импульсный нагрев и последующая перекристаллизация материалов позволяют достичь скоростей роста, на несколько порядков превышающих скорости, реализующиеся при обычных процессах и 58
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 56 57 58 59 60 61 62... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
