Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 53 54 55 56 57 58 59... 423 424 425
|
|
|
|
межфазной границы на коэффициенты сегрегации и образования ячеек в имплантированных полупроводниках. В металлах лазерное излучение поглощается на поверхности так, что высокие температурные градиенты могут сохраняться продолжительное время в процессе нагрева, более того, в противоположность полупроводникам, они могут сохраняться в течение времени, сравнительно с продолжительностью охлаждения. Связь высоких температурных и концентрационных градиентов в процессе нагрева приводит к появлению смешанной компоненты в уравнении диффузии примесей (эффект Соре). Лазерное облучение в комбинации с ионной имплантацией дает уникальную возможность изучения этого явления. Облучение материалов импульсными электронными и ионными пучками также применялось для переупорядочения ионно-имплантированных полупроводников и металлов. Процессы введения энергии достаточно хорошо известны и зависят главным образом от атомного номера и массы вещества мишени. Основным отличием от лазерного облучения является большая глубина, на которую вводится энергия, и более низкие значения (обычно на один порядок меньше) температурных градиентов и скоростей перемещения межфазных границ. список литературы 1.ferris s. d., leamy н. j., poate j. м., eds. (1979). "laser-So}id Interactions and Laser Processing". (AIP No 50). 2.white c. w., peercy p., eds. (1980). "Laser and electron-Beam Processing of Materials". Academic Press, New York. 3.gibbons j. f., hess l. d., sigmon т., eds. (1981). cLaser and Electron-Beam Solid Interactions and Materials Processing". Elsevier — north-Holland, New York. a. poate j. m., mayer j. w., eds. (1982) "Laser Annealing of Semiconductors", Academic Press, New York. 5.brodsky m. h,, title r. s., weiser k., pettit g. d. (1970). Phys. Rev. В i, 2632. 6.schmid p. e. (1981). Phys. Rev. B23, 5531. 7.yoffa e. j. (1980). Phys. Rev. B2I, 2415. 8.lietoila gibbons j. f. (1981). In: "Laser and Electron-Beam Solid Interactions and Material Processing". J. F. Gibbons, L, Hess, T. Sigmon, eds. Elsevier. P. 23. 9.krause j, (1974). Solid State Electron. 17, 427. 10.dzieviour j., schmid w. (1977). Appl. Phys. 31, 346. 11.haug A. (1978). Solid State Electron. 21, 1281. 12.combescot m. (1981). Phys. Lett, 85A, 308. 13.brown w. l. (1980). In: "Laser and Electron-Beam Processing of Materials", C. W. White, P. Peercy, eds. Academic Press, New York. P. 21. 14.yoffa e. j. (1980). Appl. Phys. Lett. 36, 37. 15.van vechten j. A. (1980). In: "Laser and Electron-Beam Processing of Ma-terials". C. W. White, P. Peercy, eds. Academic Press, New York. P. 53. 16.van Vechten j. A., Wautelet m. (198J). Phys. Rev. B2923. 17.galvin g. f., thompson m. o., mayer j. w., paulter n., hammond r. в., peercy p. s. (1982). Phys. Rev. Lett. 48, 33. 18.birnbaum m., stoker t. l. (1968). J. Appl Phys. 39, 6032. 55
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 53 54 55 56 57 58 59... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
