Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 51 52 53 54 55 56 57... 423 424 425
|
|
|
|
2.5. Облучение материалов ионными пучками 2.5,1. Ввод энергии Импульсный моноэнергетический пучок частиц также можно использовать для ввода энергии в поверхностный слой мишени За короткое время и при подходящих условиях можно расплавить поверхностный слой [54]. К настоящему времени нагрев нощ^і^іми пучками рассмотрен только в нескольких работах, что обусловлено трудностью в получении подходящих параметров импульсных пучков. Ионы теряют энергию как на электронах, так и на ядрах. Относительный вклад этих механизмов в общие потери энергии зависит от скорости иона, атомного номера и массы налетающей частицы и вещества мишени. Для протонов эти механизмы потерь имеют одинаковую величину при энергии 10 кэВ. Для ионов мышьяка в кремнии они одинаковы при 750 кэВ. Тормозные способности ионов в любой мишени извест-цы, так что зависимости глубины от дозы могут быть опред^дены с достаточно хорошей точностью. Для случая протонов в кре\ї{іие-вой мишени используется следующее выражение [55]: —^=4,15^1/2 эВ/1015 см-2 для £'10 кэВ; аі5а) 10 15 2,0 2,5 1^ ним Рис. 2.28. Профиль потерь энергии протонов (с энергией ЗОо кэВ) в кремнии In 1+ 550 -0,0132^ -1 е^ \ МэВ. (2.156) Потери энергии для протонного пучка с энергией 300 кэВ в кремнии в зависимости от глубины приведены на рис. 2.28. Введенная энергия довольно равномерно распределяется по объему образца до глубин, достигающих пробега частиц 2,5 мкм. 2.5.2. Нагрев и охлаждение Процессы нагрева и охлаждения рассматриваются обычНым способом. Можно предположить, что в результате равномерного распределения введенной энергии температурные градиенты Во время нагрева и охлаждения будут ниже, чем в случае электронного облучения. Для примера на рис. 2.29 приведены зависимости температуры от глубины при облучений кристаллического крелдния 53
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 51 52 53 54 55 56 57... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
