Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 46 47 48 49 50 51 52... 423 424 425
|
|
|
|
Материал возвращается к начальным размерам (нулевой деформации), его состояние описывается линией ВС, параллельной АОА\ и в нем появляется остаточное напряжение ОС Когда металл подвергается переменным деформациям, превышающим значения деформации, соответствующим пределу текучести, то пластическая деформация развивается вдоль близко расположенных плоскостей скольжения в виде полос скольжения. Этот эффект недавно наблюдался в монокристаллах алюминия после лазерного облучения с плотностями энергии ниже порога плавления поверхности [43]. Быстрое распространение напряжений внутри образца сопровождается распространением протяженных дефектов и, вероятно, обусловливает низкую степень кристалличности, полученную после лазерного облучения ионно-имплантированных металлов. 2,4. Облучение материалов электронным пучком 2.4.1. Ввод энергии При использовании импульсных электронных пучков энергия может быть введена в приповерхностную область материалов. Импульсные электронные пучки уже использовались для отжига дефектов в имплантированных полупроводниках [44] и для образования метастабильных металлических сплавов [45]. По сравнению с лазерной обработкой число экспериментов, выполненных в данной области, гораздо меньше, что связано с трудностями в получении подходящих электронных пучков. Во время торможения электроны пучка взаимодействуют с ядрами и электронами мишени. Столкновения с ядрами из-за большого различия в массах имеют главным образом упругий характер, и направление движения меняется существенно. Энергия передается в результате столкновений с электронами материала мишени. Как и в случае лазерного облучения, энергия этих электронов передается решетке в виде теплоты почти немедленно. За короткое время облучения нагрев происходит квазиадиабатически. Влияние теплопроводности пренебрежимо мало, и профиль температуры повторяет профиль потерь энергии электронов в образце. Рассеяние энергии в глубине материала определяет изменение температуры на стадии нагрева. Механизмы рассеяния энергии исследовались в целях объяснения результатов, полученных с помощью сканирующего электронного микроскопа и электронного микроанализатора [46]. Для расчета ввода энергии использовался как метод Монте-Карло, так и аналитический метод. Максимум распределения поглощенной энергии располагается на глубине Хр, возрастающей с ростом энергии электронов, возрастает также и ширина распределения о. В случае лазерного облучения максимум профиля поглощенной энергии на-48
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 46 47 48 49 50 51 52... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
