Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками






Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками

Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .



Страницы: 1 2 3... 420 421 422 423 424 425
 

Рис. 13.15. Спектры обратного резерфордовского рассеяния и каналирования многослойных пленок Си—Сг на монокристалле 110 Си (см. схему в верхней части рисунка) до и после обработки с помощью Nd— АИГ-лазера с удвоением частоты и модулированной добротностью: а — исходная структура; б — перемешанная лазером зона, эпитаксиально рекристаллизованная от поверхности подложки 110 Си; І — общий спектр; 2 —спектр для U0 ванной добротностью. На рис. 13.15, а приведены спектры для "сэндвича" Cr-1-Cu и подложки до обработки лазером. Разрешение по массе обратного рассеяния и разрешение детектора таковы, что многослойная структура не обнаруживается. Для рис. 13.15, б характерно резкое изменение спектров после лазерной обработки. Хром диффундирует до глубины 2400 А (240 нм) с максимальной концентрацией 18% на глубине 700 А (70 нм) и средней концентрацией 8%. Поверхностный слой имеет эпитаксиальную струк-'ГУРУПо-видимому большинство атомов хрома образует узлы замещения. Однако из-за большой степени деканалирования в данном деформированном слое трудно количественно оценить степень замещен-ности. Чтобы охарактеризовать микроструктуру слоя, слоистые пленки после лазерного перемешивания исследовались методом просвечивающей электронной микроскопии. Для таких исследований образцы сканировались в растр таким образом, что перекрытие было неполным и проплавлялись отдельные пятна. В светлом поле просвечивающей электронной микрофотографии (рис. 13.16) направление пучка близко к ориентации Си (110). Центральное светлое пятно соответствует кольцевой зоне проплавлення лазером диаметром ^8 мкм. На периферий пят 2 (Г) 11 12 1.3 1Л 1,5 £,МзЧ 421
rss
Карта
 






Страницы: 1 2 3... 420 421 422 423 424 425

Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу


Расчеты тепловых процессов при сварке
Сборка и сварка корпусов судов
Технологія конструкційних матеріалів і матеріалознавство: Практикум: Навч.посібник
Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Металловедение пайки
Теорія зварювальних процесів. Дослідження фізико-хімічних і металургійних процесів та здатності металів до зварювання
Справочник по сварке цветных металлов

rss
Карта