Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 395 396 397 398 399 400 401... 423 424 425
|
|
|
|
Температура, соответствующая первой из указанных стадий, зависит от прочности захвата дейтерия в гелиевых ловушках, тогда как температура протекания второй стадии процесса определяется и прочностью ловушек и эффективностью поверхностного барьера проницаемости. Процесс описывается количественно уравнением диффузии с соответствующими членами, связанными с захватом и с учетом поверхностного барьера [139]. Сплошная кривая, проведенная по светлым кружкам на рис. 12.34, соответствует данным расчета, в который введены энтальпия связи в ловушках Qr и коэффициент поверхностной рекомбинации Kl, скорректированные для того, чтобы обеспечить сходимость с экспериментальными результатами (коэффициент Кь рассмотрен в работе [152]). Расчетное значение Qt соответствовало (0,78±0,08) эВ для дейтерия в узле решетки и /Cl = 0,5* 10-1^ cmVc с точностью до множителя, равного 5. На рис. 12.34 представлены, кроме того, еще две группы данных. Светлые треугольники соответствуют эксперименту, в котором гелий снова был имплантирован на глубину /і=1,2 мкм, но в подповерхностном слое присутствовал только дейтерий н структура бъ\ла нарушена после облучения. Низкотемпературное падение содержания связанного дейтерия отражает миграцию его из слабых дефектных ловушек к более прочным гелиевым ловушкам на глубине 1,2 мкм. Такая интерпретация подтверждается данными точной оценки профиля концентрации по глубине. Эти данные свидетельствуют о связи относительно более глубоких ловушек с присутствием гелия. Наконец, интерпретация и анализ были надежно проверены при увеличении расстояния между двумя слоями гелия примерно в 50 раз. Расположение слоев обеспечивалось при имплантации гелия в фольгу из железа толщиной h = 5l мкм с обеих ее сторон. Данные эксперимента с такой фольгой представлены на рис. 12.34 черными кружками. Как и предполагалось, стадия перераспределения дейтерия между слоями сдвинулась в область более высоких температур. Сплошная кривая, проведенная вблизи точек данной зависимости, соответствует расчету, выполненному для модели с параметрами, которые определялись по той же методике, что и в описанном примере. Предполагалось, что дейтерий связывается со стенками гелиевых пузырьков в железе по механизму, сходному с хемосорбцией. Действительно, измеренная энергия связи с ловушкой, равная 0,78 эВ, близка по значению к разности энтальпий растворения и хемосорбции, определенной из термодинамических соображений а. 0,73 эВ. Подобные же механизмы считаются справедливыми для ни--келя и аустенитной (ГЦК) коррозионно-стойкой стали, для которых^ измеренные прочности связи в гелиевых ловушках оцениваются а 0,55 и 0,42 эВ соответственно. 39Г
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 395 396 397 398 399 400 401... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
