Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 393 394 395 396 397 398 399... 423 424 425
|
|
|
|
и в отсутствие дефектов кристаллической структуры, в широком диапазоне концентраций. Можно ожидать, что атомы гелия остаются рассеянными по твердому телу только тогда, когда они лишены подвижности из-за снижения температуры или из-за действия ловушек, плотность которых сравнима с плотностью внедренных атомов. Этот вывод важен при анализе влияния гелия на различные свойства сплава. Одно из этих свойств — миграция и захват водорода в ловушках — процессы, которые также подвергались интенсивному исследованию с помощью метода ионной имплантации. 12.9.3. Захват водорода ловушками Безенбахер, Беттигер, Майерс и Уамплер недавно выполнили серию экспериментов по исследованию взаимодействия водорода с гелием, имплантированным в железо [139], никель [151] и аустенитную коррозионно-стойкую сталь (неопубликованные данные Майерса и Уамплера). Механизм этого взаимодействия весьма интересен, поскольку ожидалось, что с его помощью можно задержать выделение изотопов водорода из материалов для термоядерных реакторов и (в более широком аспекте) повлиять на водородное охрупчивание в присутствии гелия. Исследования с применением имплантации, можно иллюстрировать примером, в котором в качестве основного материала использовали железо. Образец металла был хоропю отожжен и имплантирован вначале при комнатной температуре ионами гелия дозами ионов 4-10^^ см"^ при энергии 15 кэВ а 6-10^ см-2 jjp^j энергии 750 кзВ. Это привело к созданию локальной концентрации гелия в несколько процентов в двух разделенных слоях по глубине образца —на расстояниях 0,07 и 1,2 мкм. Такое двухслойное расположение имплантированного гелия позволяло отделить эффекты захвата от влияния поверхностного барьера проницаемости. Микроструктура слоя на глубине 0,07 мкм исследовалась с помощью просвечивающего электронного микроскопа на имплантированной фольге (по неопубликованным данным Фолъ-штадта и Майерса, 1982 г.), и эга структура представлена на рис. 12.33. На этом рисунке видна плотная сетка из пузырьков гелия диаметром '^lOA. То, что эти пузырьки полые, подтверждалось изменением цвета объектов со светлого на темный при переходе от недофокусированного к перефокусированному изображению в электронном микроскопе, предполагалось, что пузырьки находятся и в более глубоко расположенном слое гелия на расстоянии 1,2 мкм от поверхности. После облучения ионами гелия образец железа охлаждали до 120 К и имплантировали изотоп дейтерия в ближайший к поверхности слой гелия на глубине 0,07 мкм при дозе ионов D 10^^ см-^. После этого температура линейно увеличивалась со скоростью 2 К/мин и периодически измерялось количество дейтерия, остающегося в слое гелия вблизи поверхности, с помощью ядерной реакции ^D(^He, р)^Не, возбуждаемой Ще. Полученные данные по количе 13*395
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 393 394 395 396 397 398 399... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
