Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 392 393 394 395 396 397 398... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 12.32. Микрофотография золота, в которое имплантирован гелий с энергией 0,3 кэВ при температуре 100 К, с последующим нагревом образца до комнатной температуры [146]: а — недофокусировка изображения; б — перефокусировка дужек. Более тщательный анализ показывает, что эти петли относятся к типу внедрения. Томас и Басташ интерпретировали представленные выше результаты, как прямое доказательство протекания процесса, иллюстрированного на рис. 12.31, а именно: образования пузырьков гелия в идеальной ГЦК решетке посредством спонтанного образования внедренных атомов элемента-хозяина. Наблюдаемые дислокации при этом считались результатом агломерации внедренных атомов. Это положение было подтверждено дополнительными экспериментами. Так, если имплантация гелия проводится не при температуре 100 К, а при комнатной температуре, когда внедренные атомы гелия подвижны, то ни пузырьки, ни дислокации не наблюдаются, поскольку гелий, по-видимому, диффундирует к поверхности и выходит так быстро, что внедренные кластеры, приводящие при низкой температуре к образованию пузырьков, не образуются. В другом эксперименте имплантация проводилась при комнатной температуре, но с энергией ионов гелия, повышенной до 1 кэВ, т. е. выше порогового значения, приводящего к нарушению порядка структуры, в этом эксперименте как пузырьки гелия, так и дислокационные петли обнаруживались в исследуемом материале. По-видимому, в этом случае дефекты, возникшие после облучения, захватывали гелий и служили точками образования пузырьков. Описанные эксперименты и другие исследования по имплантации гелия дают основание полагать, что образование пузырьков — это достаточно распространенный процесс, протекающий и при комнатной, и при повышенной температурах как в присутствии, так 394
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 392 393 394 395 396 397 398... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
