Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 391 392 393 394 395 396 397... 423 424 425
|
|
|
|
Рис. 12.31. Предсказываемое теоретически образование внедренного атома никеля (а) во внедренном кластере гелия (б) [150] мечательные успехи были достигнуты в описании диффузии [149], захвата гелия [138], зарождения пузырьков у дефектов [138, 145] и зарождения пузырьков в идеальной кристаллической решетке. Это последнее исследование, выполненное Томасом и Басташем [146], будет описано ниже. Специальным был вопрос о том, может ли внедренный гелий в гранецентрированной кубической решетке металла при отсутствии дефектных узлов собираться в пузырьки, а если может, то как. Теоретические расчеты энергии кристаллической решетки никеля в зависимости от положения атомов [150] приводили к прогнозу о том, что мигрирующий гелий будет преимущественно собираться у соседних узлов внедрения, вызывая кластерообразование. В дальнейшем было предсказано, что если внедренный кластер вырастет до пяти атомов, то атом-хозяин будет самопроизвольно выброшен в узел внедрения, а гелий образует вакансию, как показано на рис. 12.31. Таким образом, начинается цепь событий, приводящих в конечном счете к образованию пузырька. Эксперименты Томаса и Басташа выполнялись на гранецентрированной кубической решетке золота, в которую имплантировали гелий при комнатной температуре или ниже ее. После этого проводилось исследование с помощью трансмиссионной электронной микроскопии. Ключевым моментом было использование ионов гелия энергией ниже порогового значения, необходимое для того, чтобы вызвать смещение атомов. Это пороговое значение энергии составляет ^0,45 кэВ. Поскольку материал был хорошо отожжен, а концентрация термических вакансий незначительна, это приводило к растворению гелия, по сути дела, в идеальной кристаллической решетке. На рис. 12.32 показана конечная микроструктура при комнатной температуре после имплантации гелия при энергии 0,3 кэВ и 100 К при дозе ионов см-^. Это довольно плотная сетка маленьких пузырьков гелия со средним диаметром ^10 А, три из которых на рисунке обведены кружками. Идентифицировать эти включения как пузырьки позволило то обстоятельство, что их изображение меняется со светлого на темное при переходе от недофокусировки к перефокусировке в электронном микроскопе. Таким свойством изменения изображения обладают все пустоты. Другой важной характеристикой представленных микрофотографий являются изображения дислокационных петель в виде полу 13—1241393
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 391 392 393 394 395 396 397... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
