Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 390 391 392 393 394 395 396... 423 424 425
|
|
|
|
образне экспериментальных исследований, выполненных в данном направлении. С одной стороны, был открыт ряд аморфных фаз {76, 131, 132], с другой стороны, были также получены и новые кристаллические материалы, включая сильно пересыщенные твердые растворы [133, 134] и интерметаллические соединения, которые не соответствуют равновесной фазовой диаграмме ни по структуре, ни по составу [135]. Имплантированные твердые растворы, анализируемые методом ионного каналирования, оказались в частности полезными при изучении положения растворенных компонентов в кристаллической решетке (в особенности это видно по работе [134]). Другим важным приложением имплантации оказалось изучение явления захвата. В метастабильных материалах процессы захвата, исследованные методом ионной имплантации, были двух типов: во-первых, связывание подвижных примесей внедрения в метастабильных элементах, таких, как дефекты кристаллической решетки [136, 137] и комбинации дефектов с примесями [138, 139]; во-вторых, взаимодействие подвижных точечных дефектов с неподвижными растворенными компонентами [140—143]. Наконец, ионная имплантация в настоящий момент обеспечивает единственную практическую возможность исследования зарождения пузырьков в металлах, содержащих такие инертные газы, как гелий [144—146]. Использование ионной имплантации как метода исследования будет ниже иллюстрировано тремя недавними примерами, связанными с поведением внедренных компонентов в металлах (понятие "внедренный компонент" относится к узлу кристаллической решетки в состоянии термодинамического равновесия). В первом исследовании рассматривается зарождение пузырьков гелия в гранецент-рированной кубической решетке, первоначально свободной от дефектов. Второй пример связан с взаимодействием водорода и пузырьков гелия, изученным в железе, никеле и коррозионно-стойкой стали, в заключительном примере будет обсуждаться роль углерода в стабилизации аморфной фазы сплавов Fe—Ті—С. 12.9.2. Зарождение пузырьков гелия Гелий имеет незначительную растворимость в металлах, но в некоторых примерах использования материалов он попадает в них атермическим путем. Такой процесс происходит, например, при имплантации ионов гелия из термоядерной плазмы, разложении трития и возбужденных нейтронами тяжелых ядер. Присутствие гелия может приводить к целому ряду нежелательных явлений, включая механическое охрупчивание и инициирование расширения пустот [147, 148], а также захват изотопов водорода, как будет показано ниже. Это обусловило проведение исследований по влиянию гелия на механическое состояние материала, в которых ионная имплантация использовалась как метод введения гелия в твердую фазу. За 392
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 390 391 392 393 394 395 396... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
