Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 388 389 390 391 392 393 394... 423 424 425
|
|
|
|
Интересно отметить, что у имплантированного германием слоя на соединении Nba (Geo,8Nbo,2) [123], который имеет аморфную структуру после имплантации при комнатной температуре, отжиг осуществляется на ЮО'^С раньше, чем отжиг аморфных пленок. Из данных рентгеновского анализа был сделан вывод о том, что имплантированный слой рос повторно эпитаксиальным образом на кристаллическом сплошном образце. Тем не менее можно выразить сомнение в том, что эпитаксиальная структура соответствует заро-дышеобразованию и росту в данном случае. Параметр решетки соединения NbaGe, выросшего из аморфной фазы, был около 5,127 А, что меньше, чем подобный параметр у лучших кристаллических пленок с максимальными значениями Тс и параметром решетки ^ = 5,145 А [отметим здесь, что Тс растет, а параметр а падает при х, стремящемся к нулю в соединении NbslGci-xNbx)]. Возможным объяснением может быть включение точечных дефектов в процессе перекристаллизации из аморфной фазы. При температурах отжига выше 900°С фаза А15 у соединения NbsGe начинает распадаться и начинает образовываться стабильная тетрагональная фаза NbsGes. Эксперименты по использованию метода ИЭПО выполнялись при комнатной температуре и 600°С на аморфных слоях NbsGe при плотностях энергии до 5 Дж/см^. Температуры Тс росли незначительно (см. рис. 12.30), и рентгеновский анализ тонких пленок показал существование фазы А15 наряду со стабильной тетрагональной фазой. При использовании охлаждения разбрызгиванием образуется соединение NbsGe со значением Гс^17К. Поэтому возможным объяснением результатов ИЭПО можно считать то обстоятельство, что скорость охлаждения при нем слишком высока для образования фазы А15 с высокой температурой Тс. В заключение отметим, что приготовление хорошо упорядоченных соединений с высокой температурой Гс в большой степени определяется микроскопической структурой исходных атомных смесей. Скорость кристаллизации при импульсном отжиге может быть слишком высокой для образования хорошо упорядоченных структур. Это соответствует результатам, полученным при охлаждении разбрызгиванием или использовании импульсных токов [124]. Увеличение температуры подложки при импульсном отжиге лишь слегка повышает его эффективность. 12,9. Ионная имплантация как метод фундаментальных металловедческих исследований 12.9.1. Введение и основы Уникальные возможности ионной имплантации широко использовались в фундаментальных микроскопических исследованиях сплавов. Например, возможности имплантации в получении атомных смесей заданного состава, независимых от равновесной фазо 390
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 388 389 390 391 392 393 394... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
