Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 386 387 388 389 390 391 392... 423 424 425
|
|
|
|
ны на рис. 12.27), можно сделать вывод о том, что различные пороговые плотности энергии соответствуют различным микроскопическим состояниям. Рост температуры Тс у кристаллической пленки начинается при 0,5 Дж/см^, и при плотностях энергии,, больших 1 Дж/см^, в образцах образуются трещины и отслоение от сапфировых подложек. При кумулятивном накоплении лазерной энергии рост Тс может быть сдвинут (см. рис. 12.27). Отжиг аморфных слоев, который начинается при 1,5 Дж/см^, по-видимому, происходит за счет затвердевания из жидкой фазы. Довольно широкие зоны перехода указывают на неоднородность состава материала. Возникает вопрос, почему рост температуры Тс ограничивается только 10 К, тогда как при термическом отжиге (Тотж) наблюдается почти полный возврат ее к значению, характерному для упорядоченной структуры (рис. 12.28). Можно, по-видимому, полагать, что скорость перекристаллизации слишком велика, чтобы образовалось соединение с хорошо упорядоченной структурой. Для того чтобы доказать это предположение, метод ИЭПО был применен к пленкам, нагретым до 580 и 680°С за 5 мин. Начальные значения Гс возросли до 13 К (см. рис. 12.28) и были на 1...2К выше, чем Тс у термически отожженной части образца. Разность снижалась при повышении температуры подложки во время применения ИЭПО. Из решения уравнения для теплового потока была получена для коэффициента снижения скорости перекристаллизации величина, равная 3. Однако скорость, по-видимому, осталась еще слишком высокой, чтобы сформировалась хорошо упорядоченная фаза VsSi. Хорошо упорядоченные пленки NbsAl с высокой температурой Тс трудно получить совместным испарением и напылением [122]. Обычно при этом значения Тс примерно на 3 к ниже, чем максимальное значение 18,5 К. Термический отжиг из аморфной фазы приводит к довольно низким значениям максимума Т^ как показано на рис. 12.29. Кристаллические слои NbsAl с температурой Тс^ 15 К сильно повреждались облучением ионами N++ [119]. При таком облучении фаза А15 полностью превращалась в фазу А2 с параметром решетки равным 3,23 А (а у ниобия 3,3 А), что указывало на полное растворение алюминия в ниобии. Термический отжиг этой фазы А2 приводил к повторному превращению в фазу А15 с значительно возросшими значениями Тс (см. рис. 12.29). Интересно отметить, что большая доза имплантации ионов алюминия в монокристаллы ниобия (25% А1 в Nb) при комнатной температуре приводит к образованию фазы А2 подобным же путем. Термический отжиг в диапазоне 800...850''С вызывает резкий рост температуры Тс до 17 к (см рис. 12.29). По этому значению Тс и данным рентгеновского анализа можно было сделать вывод о том, что образовалась хорошо упорядоченная структура А15 соединения NbsAl. Дальнейшее увеличение Тс, по-видимому, можно было получить, используя упорядочивающий огжиг при 600°С, который обычно применяют для только что отлитых материалов. 388
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 386 387 388 389 390 391 392... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
