Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 385 386 387 388 389 390 391... 423 424 425
|
|
|
|
зали, что, хотя фаза А15 и формируется, она не является высокоупорядоченной [121]. В дальнейшем мы сравним действие отжига импульсным лазерным пучком (ЛПО), отжига импульсным электронным пучком (ИЭПО) и термического отжига на такие пленки VsSi, NbsAl и NbsGe толщ,иной 0,1...3 мкм. Эти пленки проявляют себя либо как аморфные структуры, если их готовят совместным напылением на сапфировые подложки при комнатной температуре, либо как кристаллические однофазные пленки при предварительном нарушении структуры путем облучения частицами. При облучении высокоэнергетические ионы пробивают пленки и остаются в подложке. Данные по термическому отжигу пленок, имплантированных большими дозами ионов, также приводятся для сравнения. Цель сравнительного анализа —изучить влияние скорости роста и различных микроскопических состояний на образование высокоупорядоченной фазы А15. На рис. 12.27 представлены данные сравнения методов ЛПО и ИЭПО, полученные Мейером и др. в 1982 г. Первый метод применялся к кристаллическим пленкам VsSi, структура которых была нарушена предварительной ионной имплантацией бора {Тс снизилась с 16 до 2 К, но пленки остались еще кристаллическими). Вторым методом обрабатывали аморфные пленки VsSi. При увеличении плотности энергии в импульсе было обнаружено, что температура Тс растет у обоих образцов. Различие было отмечено лишь для пороговых плотностей энергии и ширины переходных кривых. Поскольку метод ИЭПО на кристаллических пленках дал результаты подобные тем, что получились для метода ЛПО (не показа OS W 15 zo г,5 хо 3.5 і^М ^.5 5,0 RT ш 600 600 woo т,^^х Рис. 12.27. Влияние плотности энергии Ds при отжиге импульсным лазерным пучком (ЛПО) на температуру Тс кристаллических пленок VsSi, облученных бором {!) и при отжиге импульсным электронным пучком (ИЭПО) на Тс аморфных пленок VsSi (2). Разброс результатов показан отрезками Рис. 12.28. Восстановление температуры Тс у пленок VsSi, предварительно облученных ионами криптона Кг+ с дозой 5-10*^ см-^ {!) исм'^ (2), при изохронном процессе отжига ГотжДанные обработки методом ЛПО {3} приведены для сравнения 387
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 385 386 387 388 389 390 391... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
