Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 384 385 386 387 388 389 390... 423 424 425
|
|
|
|
гают, обусловлены такой цепной структурой. Любое нарушение упорядоченности в ней приводит к снижению Тс. При облучении потоком частиц и нейтронами были зарегистрированы большие падения температуры Тс вместе с возрастанием удельного сопротивления и параметра решетки. Природа этих дефектов привлекла большое внимание в последние годы из-за предположения о том, что они могут ограничить предельную максимальную температуру перехода Тс, наблюдаемую у таких материалов [111]. Как правило, снижение Тс относят на счет нарушения дальнего порядка. Так, параметр дальнего порядка Брэгга — Вильямса S снижается с понижением Тс, вызванным либо облучением, либо нарушением состава по стехиометрическим причинам [112, 113]. В подвергнутых облучению сверхпроводящих тонких пленках и монокристаллах со структурой А15 проявляются малые статические смещения атомов из узлов решетки с амплитудами 0,06...0,1 А в тех зонах, где снижается температура Тс. Эти смещения были обнаружены недавно в опытах с рентгеновским излучением [114, 115], а также с ионным каналированием [116—118]. Наблюдения узловых дефектов и смещений привели к выводу о том, что они связаны между собой во всех изученных случаях [119]. С ростом дозы облучения значения температуры Тс достигают насыщения между 1 и 4К в зависимости от типа соединения. При очень высоких дозах наблюдаются фазовые превращения, которые определяются массой ионов и температурой облучения. Тогда как некоторые фазы А15, такие, как NbaGe, Nbair и VaGe, становятся аморфными при облучении, NbsAl полностью превращается в фазу А2 [119]. Из этих данных можно сделать вывод, что подобные фазовые превращения будут происходить и при ионной имплантации. Перекристаллизация хорошо упорядоченной и высокотемпературной фазы А15 будет зависеть от степени беспорядка и способа, используемого при отжиге. 12.8.3. Отжиг импульсными пучками электронов и лазера Первые эксперименты по влиянию облучения лазерным пучком на массивные образцы NbsGe, NbsGa и Nbo,8Sno,2, полученные в ар-гоно-дуговой печи, обнаружили заметное увеличение Тс для всех образцов [120]. Наиболее сильно эффект проявлялся для соединения Nb/o,8Sno,2, у которого температура Тс возросла с 9 до 18,2 К^ Данный эффект был объяснен образованием стехиометрического соединения NbsSn на поверхности образца после лазерного облучения. Плотность энергии импульса была равна 1 Дж/см^ и можно было предполагать, что образование высокоупорядоченной фазы А15 происходит в твердом состоянии путем диффузии олова и реакции с ниобием. Такой процесс наблюдается, например, для диффузионных фаз при термическом отжиге. Недавние данные по облучению импульсным лазером многослойных образцов V—Si, чтобы получить фазу VsSi, а также изучение облученного VsSi пока 386
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 384 385 386 387 388 389 390... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
