Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо
Если Вы являетесь автором данной книги и её распространение ущемляет Ваши авторские права или если Вы хотите внести изменения в данный документ или опубликовать новую книгу свяжитесь с нами по по .
Страницы: 1 2 3... 383 384 385 386 387 388 389... 423 424 425
|
|
|
|
десорбции водорода, не давая ему проникать в объем материала, а свинец снижает количество выделившегося водорода и, действуя как барьер на его пути, предотвращает проникновение вглубь. Что же касается влияния аргона, имплантированного в железо, то это, по-видимому, объемный эффект. При такой имплантации скорость проникновения водорода несколько возрастает, но измеренный коэффициент диффузии слегка снижается по сравнению с испытаниями чистого железа. Следовательно, поскольку скорость проникновения пропорциональна произведению потока диффузии на растворимость, то растворимость водорода в слое, имплантированном аргоном выше, чем нормальная растворимость водорода в железе. Этот вывод подтвержден измерениями при реакции а)^2С, выполненными Фречем с сотрудниками в 1981 г. На рис. 12.26 показано распределение водорода в железе, имплантированном ионами криптона при дозе ионов Ю^'' см"^ для комнатной температуры. Дефектный слой под поверхностью содержит около 2% водорода, тогда как его нормальная растворимость менее 10~^%, Такое различие согласуется с данными по проницаемости водорода при имплантации аргона. Приведенные выше несколько примеров иллюстрируют полезность электрохимических исследований миграции водорода в металлах, подвергнутых ионной имплантации, особенно когда электрохимические исследования совмещаются с методом анализа ядерных реакций. 12.8. Повреждаемость при облучении и импульсный отжиг сверхпроводников со структурой А15 12.8.1. Введение Обширный обзор влияния имплантаций на сверхпроводники был выполнен в работе [ПО]. В этой связи ниже будут затронуты только действие импульсного лазера и электронного пучка, которые оценивались в выполненных недавно работах по исследованию влияния радиационных дефектов на сверхпроводящие свойства систем со структурой А15. При этом подытоживаются данные по влиянию лазерного и электронного пучка на зародышеобразование и перекристаллизацию облученных аморфных сверхпроводников А15. 12.8.2. Повреждаемость при облучении Вещества со структурой А15 характеризуются наивысшими известными температурами перехода (NbsGe, Гс = 23 К) и показывают наилучшие характеристики как магниты с высокой плотностью поля [NbsSn, Гс=18,2К, Яс2=-20 Т (20 А/м) при 4 К]. В такой структуре непереходный металл образует объемноцентрированную кубическую подрешетку, а два переходных металла расположены Ба каждой грани, образуя таким образом три плотно упакованных ортогональных цепи. Высокие значения температуры как пола 385
Карта
|
|
|
|
|
|
|
|
Страницы: 1 2 3... 383 384 385 386 387 388 389... 423 424 425
Внимание! эта страница распознана автоматически, поэтому мы не гарантируем, что она не содержит ошибок. Для того, чтобы увидеть оригинал, Вам необходимо скачать книгу |
